电针对全脑缺血再灌注损伤高龄大鼠大脑皮质P53蛋白表达的影响

目的 :观察电针对全脑缺血再灌注损伤后高龄大鼠大脑皮质P5 3蛋白表达的影响。方法 :采用改良的Pulsinelli 4 血管阻断 ( 4 VO)方法制备SD高龄大鼠全脑缺血再灌注损伤模型 ,将大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注组、缺血再灌注 +电针组。假手术组动物仅烧灼双侧翼小孔内椎动脉 ,但不夹闭双侧颈总动脉 ,电针组在缺血再灌注后立即予电针治疗 ,以后每天 1次。在缺血再灌注 3天 ( 72hr)后将大鼠处死 ,进行免疫组织化学染色。结果 :缺血再灌注组大鼠大脑皮质P5 3蛋白免疫阳性细胞数明显高于假手术组 (P <0 <0 5 )。缺血再灌注 +电针组大鼠大脑皮质P5 3蛋白免疫阳性细胞数明显低于缺血再灌注组 (P <0 <0 5 )。结论 :电针可明显减少全脑缺血再灌注损伤后高龄大鼠大脑皮质P5 3蛋白的表达 ,这可能是电针抗脑缺血后神经元凋亡的途径之一     

电针对不同时间段局灶性脑缺血大鼠缺血区突触界面参数的影响

目的:探讨电针对脑缺血后突触界面参数的影响.方法:45只Wistar大鼠分为假手术组、缺血组和电针组,每组又分为1小时组、1天组、3天组、1周组、3周组5个时间段小组.采用热凝闭大脑中动脉建立局灶性脑缺血模型,电针组给予电针治疗.观察缺血区大脑皮层突触后膜致密物质(PSD)厚度、间隙宽度、界面曲率的变化.结果:PSD厚度缺血组各时间段小组均下降,与假手术组比较,差异均有非常显著性意义(P＜0.01);而电针组各时间段小组,与假手术组比较,差异无显著性意义(P＞0.05);电针组各时间段小组,与缺血组比较,差异均有显著性或非常显著性意义(P＜0.05,P＜0.01).突触间隙宽度缺血组1小时组、1天组、3天组下降明显,与假手术组比较,差异均有显著性或非常显著性意义(P＜0.05,P＜0.01);而1周组、3周组与假手术组比较,差异均无显著性意义(P＞0.05);突触间隙宽度电针组1小时组下降明显,与假手术组比较,差异有非常显著性意义(P＜0.01),而1天组与假手术组,差异无显著性意义(P＞0.05);1周组、3周组反高于假手术组,差异均有显著性或非常显著性意义(P＜0.05,P＜0.01);电针组3天组、1周组、3周组与缺血组比较,差异均有显著性或非常显著性意义(P＜0.05,P＜0.01).突触的界面曲率缺血组1小时组、电针组1小时组,与假手术组比较,差异均无显著性意义(P＞0.05);缺血组1天组、3天组、1周组、3周组均下降明显,与假手术组比较,差异均有显著性或非常显著性意义(P＜0.05,P＜0.01);电针组1天组、3天组、1周组、3周组也有下降,但1周组、3周组,与假手术组比较,差异已无显著性意义(P＞0.05).结论:电针可以阻止突触结构的进一步损坏,而在不同的时间段促进突触结构参数的恢复.     

电针对局灶性脑缺血大鼠突触可塑性促进作用的实验研究

目的探讨电针对缺血性脑损伤后突触可塑性促进作用的机制。方法采用热凝闭大鼠大脑中动脉致局灶性脑缺血模型（MCAO）,研究缺血2周（2w）和5周（5w）后缺血区皮层突触超微结构、突触素P38、神经生长相关蛋白-43（GAP-43）、脑源性神经营养因子（BDNF）、神经生长因子（NGF）的变化规律和电针对其影响。结果两个缺血组缺血脑区皮层突触的面数密度（Nv）、突触连接带面密度（Sv）、突触的体密度（Vv）和突触后致密物质（PSD）、缺血脑区皮层突触素P38的表达均较假手术组同期明显减少和下降（P〈0．01）。在缺血组和治疗组中,5w组的Nv和Sv均多于2w组（P〈0．01）;两个治疗组缺血区皮层Sv均较同时段的缺血组显著上升（P〈0．01）,而PSD在治疗5w时明显高于缺血5w组和治疗2w组（P〈0．01）．电针对Vv和突触界面曲率影响较小。缺血5w组与缺血2w组比较,突触素P38表达明显升高（P〈0．01）,治疗2w组与缺血2w组比较,差异无显著性（P〉0．05）,治疗5w组与缺血5w组比较明显增加（P〈0．01）。缺血2w组和治疗2w组缺血区周围皮层GAP-43表达与假手术组比较,均显著增加（P〈0．01）,但两组比较差异无显著性（P〉0．05）。缺血5w组与假手术组比较差异无显著性（P〉0．05）,治疗5w组与假手术5w组比较明显增加（P〈0．01）。两个缺血组缺血脑区周围皮层NGF、BDNF的免疫阳性细胞数量较假手术组明显增多（P〈0．01）,治疗组免疫阳性细胞的表达与同时段缺血组比较,显著增高（P〈0．01）,缺血组和治疗组随时间的推移表达均呈下降趋势（P〈0．01）。结论提示电针可能通过保护与改善MCAO模型大鼠缺血脑区皮质的突触超微结构,提高突触素P38、GAP-43、NGF和BDNF的表达,促进脑缺血后突触可塑性的形成。     

益气活血方和补肾生髓方对大鼠脑缺血恢复期GAP-43和SYP表达的影响

目的：探讨益气活血方和补肾生髓方对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠恢复期缺血半暗带生长相关蛋白（GAP－43）和突触素（SYP）表达的影响。方法：以线栓法阻塞大鼠左侧大脑中动脉，复制局灶性脑缺血再灌注模型，缺血2小时再灌注1、2、3周，用免疫组织化学染色SABC法分别检测皮质缺血半暗带GAP－43和SYP的表达。结果：各时间点益气活血方、补肾生髓方组皮质缺血半暗带GAP－43（1周除外）和SYP表达阳性细胞平均吸收光密度显著升高，与模型组比较有显著性差异（P〈0．05或0．01）；在1周、2周GAP－43表达阳性细胞平均吸收光密度，益气活血方优于补肾生髓方组，两组间比较有显著性差异（P〈0．01）。结论：益气活血方、补肾生髓方能通过促进皮质脑缺血半暗带GAP－43和SYP表达，有利于脑缺血后突触重塑和神经细胞轴突的再生，促进脑卒中后神经功能恢复。     

针刺对局灶性脑缺血大鼠缺血区皮层神经生长因子表达的影响

目的:探讨针刺穴位对缺血性脑损伤的保护作用。方法:SD大鼠42只,随机分为假手术组、缺血模型组和针刺组,每组又分为2周和6周两个时间段组;除假手术组外,其他组均采用热凝闭大鼠大脑中动脉法复制局灶性脑缺血模型,采用免疫组化法观察缺血2周和6周后缺血区皮层神经生长因子(NGF)的变化规律以及针刺对其影响。结果:两个假手术组大鼠手术侧皮层只见到很少的NGF免疫阳性细胞;两个缺血组大鼠脑缺血区皮层NGF免疫活性细胞的表达与假手术组比较显著增多,缺血6周组与缺血2周组相比缺血区皮层NGF阳性细胞的数量下降;针刺组在2周时缺血区皮层NGF免疫阳性细胞的表达增高,与缺血2周组、假手术2周组相比差异具有显著性意义;电针6周组大鼠脑缺血区皮层NGF免疫阳性细胞表达虽呈下降趋势,但仍高于同时间段的缺血组大鼠。结论:针刺穴位可以增加大鼠脑缺血区皮层NGF的分泌和表达时程,这可能是其保护缺血性脑损伤的机制之一。     

电针对不同时间段局灶性脑缺血大鼠缺血区皮层BDNF表达的影响浓

目的:探讨针刺对缺血性脑损伤的保护作用的生化机制.方法:采用热凝闭大鼠大脑中动脉致局灶性脑缺血模型,研究缺血2 w和5 w后缺血区皮层BDNF的变化规律和针刺对其影响.结果:假手术组大鼠缺血区的BDNF阳性细胞数量都很少,强度也比较弱;脑缺血2 w及5 w组大鼠缺血区BDNF的免疫阳性细胞数量比假手术组明显增多(P＜0.01);脑缺血2 w组与脑缺血5 w组大鼠缺血区脑片比较显示,BDNF阳性细胞数量并无显著性差异(P＞0.05);缺血 电针2 w组与缺血 电针5 w脑片中免疫阳性细胞的数量明显增加(P＜0.01),但随着时间的推移,此表达呈下降趋势.结论:针刺可以通过提高BDNF在缺血区周围皮层的表达,保护缺血性脑损伤,并可能与大脑可塑性的形成有一定的关系.     

电针风池穴对脑缺血再灌注大鼠突触素、生长相关蛋白-43的影响

目的观察电针风池穴对脑缺血再灌注大鼠突触素(synaptophysin, SYN)、生长相关蛋白-43(growth associated protein-43, GAP-43)表达变化的影响。方法将32只SD雄性大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针组,每组8只。模型组和电针组采用线栓法制作脑缺血再灌注模型。采用电针双侧风池穴对电针组大鼠进行治疗,每日1次,每次30 min,至动物处死。应用免疫组织化学法检测SYN和GAP-43的表达。结果模型组和电针组造模后2 h和造模后6 d Bederson评分与正常组和假手术组比较,差异均有统计学意义(P0.05)。模型组和电针组造模后6 d海马和皮层SYN IOD值和GAP-43 IOD值与正常组和假手术组比较,差异均具有统计学意义(P0.05)。电针组造模后6 d海马和皮层SYN IOD值和GAP-43 IOD值与模型组比较,差异均具有统计学意义(P0.05)。结论电针风池穴可促进脑缺血再灌注模型大鼠的GAP-43和SYN的表达,表明电针可以促进轴突再生,对突触的可塑性具有正向改善作用。     

电针对局灶性脑缺血大鼠缺血区脑组织神经细胞凋亡及神经生长因子影响的研究

目的 :观察电针督脉经穴“大椎”、“百会”对大鼠缺血区脑组织神经细胞凋亡及NGLF的影响。方法 :用凝闭一侧大脑中动脉的脑缺血大鼠为动物模型 ,采用TUNEL染色法和免疫组化染色S P法进行观察。结果 :缺血 +电针组中 ,大脑皮层梗塞区内TUNEL染色阳性细胞较缺血组显著减少 (P <0 0 1 ) ,NGFR免疫阳性表达在细胞数量上及强度上也均较缺血组及假手术组明显增强 (P <0 0 1 )。结论 :电针能抑制脑缺血后脑内神经细胞的凋亡 ,可增强局灶性脑缺血大鼠脑组织的NGFR的表达 ,对缺血性脑损伤具有一定的保护作用。为临床针灸治疗缺血性脑血管疾病奠定了理论基础     

电针对MCAO大鼠脑内GAP-43和突触囊泡蛋白表达的影响

方法：将实验大鼠分为假手术组、缺血再灌组和缺血再灌＋电针组，大脑中动脉线栓（MCAO）造成局灶性缺血90min，电针组在缺血后立即给予电针1h，以后每天1次。在缺血再灌1，7和14天分别处死，进行免疫组织化学染色。结果：GAP－43和突触囊泡蛋白主要在缺血灶周围的皮质表达。在再灌后7和14天后电针组GAP－43和突触囊泡蛋白免疫阳性细胞数高于缺血再灌组（P＜0.05)。结论：电针能够提高GAP－43和突触囊泡蛋白在缺血灶周围皮质的表达，从而促进缺血后轴突的出芽和突触的形成，提高了缺血后神经元可塑性。     

电针对大鼠局灶性脑缺血脑内Calbindin-D28k表达的影响

目的 :探讨钙结合蛋白家族成员Calbindin D2 8k与电针抗缺血性脑损伤的关系。方法 :用改良线栓法制备SD大鼠大脑中动脉 (MCA)阻塞 再灌注模型 ,应用TTC及HE组织化学染色观察缺血及电针后梗塞灶的变化 ,并应用免疫组织化学方法对大鼠局灶性脑缺血组织内Calbindin D2 8k免疫阳性细胞的分布及电针对该分布的影响进行观察。结果 :电针可明显改善局灶性脑缺血所造成的神经缺损体征 ;但缺血组及电针组Calbindin D2 8k免疫阳性细胞在梗塞灶中心区几乎检测不出 ,缺血组在半影区与对照组相比表达上调 (P <0 0 5 ) ;电针组Calbindin D2 8k在半影区的表达与缺血组之间差异无显著性意义 (P >0 0 5 )。结论 :局灶性脑缺血对Calbindin D2 8k在半影区反应性表达增强可能用以缓冲胞内过多的游离钙 ;电针在脑缺血时对神经元具有保护效应 ,但可能并不是通过调整Calbindin D2 8k的表达而实现的     

电针对脑缺血大鼠缺血灶区信号转导与转录激活子3表达的影响

目的:研究信号转导与转录激活子3(STAT 3),在脑缺血后不同时间段的变化、信号转导以及电针的干预作用。方法:采用随机数字表法将150只SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,每组又分为2h、1d、3d、1周和3周5个时间段组,共15组。电凝闭大鼠大脑中动脉制作局灶性脑缺血模型。电针组电针刺激"百会"大椎"穴,每次30min,每日1次。采用免疫组化和蛋白印迹的方法检测大鼠缺血侧皮质区STAT 3表达水平。结果:局灶性脑缺血2h后,模型组和电针组STAT 3表达水平开始增加,但两组间差异无统计学意义(P>0.05)。缺血1d后,STAT 3水平达到高峰,电针组与模型组的差异具有统计学意义(P<0.001),电针能下调脑缺血后病灶区STAT 3水平的表达,且这种效应一直持续到脑缺血3周(P<0.001,P<0.05)。结论:电针治疗可以通过下调脑缺血后病灶区STAT 3表达水平,持续地参与机体的自我保护机制。     

双侧电针结合康复训练对局灶性脑缺血/再灌注损伤大鼠海马CA 3区神经生长相关蛋白43及突触素表达的影响

目的:探讨应用双侧电针结合康复训练对局灶性脑缺血/再灌注损伤(CI/RI)大鼠运动功能及海马CA 3区神经生长相关蛋白43(GAP-43)和突触素(SYP)表达的影响。方法:SD大鼠随机分为模型组、康复组、患侧电针康复组、双侧电针康复组,每组各10只,另设空白组6只。参考改良Zea Longa线栓法制备大脑中动脉阻塞/再灌注大鼠模型,患侧电针康复组电针患侧"曲池""后三里""百会"配合康复训练,双侧电针组电针双侧"曲池""后三里"及"百会"配合康复训练,康复组单纯采用康复训练,均每天治疗1次,共治疗12次。术后24h,7、14d时进行神经行为学评分,免疫组化法检测海马CA 3区GAP-43、SYP表达。结果:术后7、14d,双侧电针康复组的神经行为学评分均明显低于模型组、康复组和患侧电针康复组(P0.05)。与空白组比较,模型组GAP-43、SYP表达显著增加(P0.05);与康复组或模型组比较,患侧电针康复组及双侧电针康复组GAP-43、SYP表达均显著增加(P0.05);与患侧电针康复组比较,双侧电针康复组GAP-43、SYP表达显著增加(P0.05)。结论:电针结合康复训练能促进大鼠神经功能的恢复及海马CA 3区GAP-43、SYP的表达,而在针刺方法上,双侧电针法较患侧电针法能更好地促进CI/RI大鼠的中枢神经系统功能重塑。     

电针及天麻多糖对局灶性脑缺血大鼠缺血灶周围额叶皮质巢蛋白、干细胞因子表达的影响

目的:观察电针、天麻多糖及电针+天麻多糖对局灶性脑缺血大鼠缺血灶周围额叶皮质巢蛋白(Nestin)和干细胞因子(stem cell factor,SCF)表达的影响,探讨针药结合治疗局灶性脑缺血的机制。方法:成年SD大鼠随机分为正常组、模型组、电针组、天麻多糖组和电针+天麻多糖组,每组8只。以线栓法建立大脑中动脉栓塞模型。模型建立后,电针组和电针+天麻多糖组大鼠给予"百会""足三里"穴电针刺激,时间30min,每天1次,连续14d;天麻多糖组和电针+天麻多糖组大鼠给予天麻多糖100mg/kg灌胃,每天1次,连续14d。采用免疫组织化学SABC法与图像分析系统观察大鼠脑缺血灶周围额叶皮质Nestin和SCF的表达。结果:与正常组比较,模型组缺血灶周围额叶皮质Nestin和SCF阳性表达增加(P0.05);与模型组比较,电针组、天麻多糖组和电针+天麻多糖组缺血灶周围额叶皮质Nestin和SCF阳性表达显著增加(P0.05);电针+天麻多糖组阳性表达显著多于电针组或天麻多糖组(P0.05)。结论:电针与天麻多糖联合应用可明显上调缺血灶周围额叶皮质Nestin和SCF的表达,其作用优于单用电针或天麻多糖,提示电针可能促进天麻多糖在体内的吸收,对促进缺血灶周围额叶皮质内源性神经干细胞的增殖有协同增效作用。     

电针对脑缺血再灌注大鼠大脑皮层去甲肾上腺素及细胞凋亡的影响

目的:探讨电针对脑缺血再灌注神经元保护的作用及其机制。方法:SD大鼠随机分为对照组、缺血再灌注组及电针组,以双侧颈总动脉夹闭方法建立脑缺血模型,用流式细胞仪检测细胞凋亡和Bcl-2及Bax蛋白表达的变化,并用荧光分光法检测皮层去甲肾上腺素(norepinephrine,NE)含量的变化。电针穴位选择“水沟”“承浆”穴。结果:①大鼠脑缺血再灌注48 h后,细胞凋亡率明显高于对照组(P<0.05),Bcl-2蛋白表达在皮层明显降低,Bax/Bcl-2比值较对照组明显升高(P<0.05);电针治疗后,Bax的表达减少,Bcl-2的表达增加,Bax/Bcl-2比值明显下降(P<0.05),细胞凋亡率受到抑制(P<0.05)。②大鼠脑缺血再灌注3 min后NE含量在皮层明显升高,与对照组相比有显著性差异(P<0.05);脑缺血再灌注48 h后,皮层NE含量明显回落,与对照组相比无显著性差异;电针治疗后,脑缺血再灌注早期(即缺血再灌3 min后)脑组织内NE升高的现象出现逆转,与模型组比较有显著性差异(P<0.05)。结论:脑缺血再灌注早期大鼠脑NE出现变化,此变化可能与神经元的凋亡发生有关。电针能逆转脑缺血再灌导致的NE的异常变化,并调节Bax/Bcl-2的表达水平,抑制神经元凋亡的发生。     

电针药氧对大鼠全脑缺血再灌注后Bcl-2、Bax蛋白表达的影响

目的:探讨电针药氧对大鼠全脑缺血再灌注后海马CA1区Bcl-2、Bax蛋白表达的影响。方法:采用改良Pulsinelli4血管阻断全脑缺血方法,建立短暂反复全脑缺血再灌注大鼠模型。大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组、药氧组、电针药氧联合组,每组6只。电针组电针大鼠"百会""后三里",频率100Hz,强度3.5mA,每次30min,每日1次,共治疗4次;药氧组大鼠吸取药氧液;电针药氧联合组采用电针结合药氧治疗。采用免疫组化方法检测大鼠海马CA1区Bcl-2、Bax蛋白阳性细胞数目、平均吸光度值。结果:模型组与假手术组比较海马CA1区Bcl-2、Bax蛋白阳性细胞数目和平均吸光度值均增高(P0.05,P0.01);电针组、药氧组及电针药氧联合组与模型组比较Bcl-2蛋白阳性细胞数目和平均吸光度值增高,Bax蛋白阳性细胞数目和平均吸光度值降低(P0.01);电针药氧联合组各指标的变化较电针组和药氧组更明显(P0.01)。结论:全脑缺血后早期电针药氧可上调Bcl-2、下调Bax蛋白的表达,这可能是电针药氧治疗缺血性脑血管病的机制之一。     

“调神通络”针法对脑缺血大鼠大脑皮层蛋白激酶Cγ、蛋白激酶Cδ表达的影响

目的:探讨局灶脑缺血再灌注大鼠蛋白激酶C(PKC)γ、PKCδ表达在缺血性脑损害中的动态变化规律以及针刺的干预机制。方法:Wistar大鼠随机分为针刺组、模型组和正常组。前两组再分为缺血再灌注4h、12h、24h、72h组。采用线栓法制备大鼠局灶脑缺血再灌注模型。电针针刺大鼠右侧顶中线和顶旁线,频率2Hz/15Hz,强度1mA。运用免疫组化方法观察缺血侧大脑皮层PKCγ、PKCδ吸光度值。结果:PKCγ、PKCδ在正常组呈基础水平表达,模型组与正常组相比PKCγ、PKCδ表达明显升高(P<0.01)。针刺组与模型组相比,相应时间点PKCγ、PKCδ吸光度值减弱(P<0.01,P<0.05)。结论:脑缺血再灌注损伤后PKCγ、PKCδ的异常表达与神经元坏死、凋亡有密切的联系。针刺能明显减少PKCγ、PKCδ蛋白表达及神经元凋亡,对脑缺血神经元起着保护作用。     

针药结合对脑缺血大鼠下丘脑室旁核脑源性神经营养因子和血管内皮生长因子表达的影响

目的:观察电针、天麻多糖及电针结合天麻多糖对脑缺血大鼠下丘脑室旁核(PVN)脑源性神经营养因子(BDNF)和血管内皮生长因子(VEGF)表达的影响,探讨针药结合治疗脑缺血的可能机制。方法:将SD大鼠随机分为正常组、模型组、电针组、天麻多糖组和电针结合天麻多糖组,每组8只。以线栓法制备脑缺血模型。造模成功后,电针组和电针结合天麻多糖组大鼠给予"百会""足三里"穴电针刺激,30min/次,每天1次,连续14d;天麻多糖组和电针结合天麻多糖组大鼠每天给予天麻多糖100mg/kg灌胃,连续14d。采用免疫组化法观察各组大鼠PVN的BDNF和VEGF表达变化。结果:模型组缺血侧PVN的BDNF、VEGF阳性表达较正常组增加(P0.05);电针组、天麻多糖组和电针结合天麻多糖组缺血侧PVN的BDNF、VEGF阳性表达均较模型组增加(P0.05);电针结合天麻多糖组PVN的BDNF、VEGF阳性表达较电针组或天麻多糖组增加(P0.05)。结论:电针结合天麻多糖疗法对大鼠脑缺血损伤有保护作用,其机制可能与脑缺血大鼠缺血侧PVN的BDNF、VEGF表达增加有关,且效果优于单用电针或天麻多糖。     

针刺对脑梗死大鼠脑血管平滑肌蛋白激酶C的影响

目的:观察针刺对脑梗死大鼠脑血管平滑肌蛋白激酶C(PKC)变化的动态调节规律。方法:雄性Wistar大鼠,随机分为模型组(24只)、针刺组(24只)、假手术组(24只)和空白组(6只),前3组又分为大脑中动脉阻滞(MCAO)后0.5、1、3、6h4个时相组,每组6只。以线栓法复制脑梗死大鼠模型。针刺组在MCAO后即刻针刺"水沟"穴,电针刺激20min。各组动物均按时相处死,在外科显微镜下分别分离和剪取梗死侧的大脑前动脉、中动脉和后动脉各8mm。应用免疫组化、免疫印迹法分别检测脑血管平滑肌PKC的变化。结果:免疫组化与免疫印迹结果均显示,与空白组相比,模型组MCAO后各时相PKC表达均上调(P<0.05,P<0.01),针刺组PKC表达均较模型组下调(P<0.01,P<0.05)。结论:针刺干预可显著抑制MCAO模型大鼠脑表面血管PKC表达上调趋势,使其维持在正常值左右,这对于缓解脑缺血后血管平滑肌痉挛具有重要作用。     

侧脑室注射孤啡肽对电针抗脑缺血作用的影响

目的 :本工作试图阐明孤啡肽 (OFQ)在脑缺血中的作用 ,并观察它对针刺抗脑缺血的影响。方法 :采用大鼠大脑中动脉栓塞模型 ,应用侧脑室注射方法以体感诱发电位 (SEP)和脑梗塞体积为指标观察了不同剂量的孤啡肽对脑缺血的作用 ,以及对针刺抗脑缺血的影响。结果 :大鼠大脑中动脉栓塞后SEP波幅降低 ,侧脑室注射 1 0 μg和 1 μg孤啡肽均进一步降低SEP的波幅 ,对照组在再灌后 1hrSEP基本恢复 ,而侧脑室注射孤啡肽 1 0 μg直到再灌后 3hr仍不恢复。注射剂量与SEP反应呈一定的量 效关系 ,即剂量越大 ,SEP抑制越显著。同时增大了脑梗塞灶的体积。而相同条件下侧脑室注射 0 .1 μg孤啡肽SEP的波幅和脑梗塞灶的体积与对照组比较无显著性差异。电针能减小脑梗塞体积 ,增大SEP的波幅。侧脑室注射 1 μg孤啡肽后针刺效应减弱 ,表现为SEP的波幅降低 ,脑梗塞灶的体积增大。结论 :侧脑室注射孤啡肽可加重脑缺血 ,且减弱了针刺抗脑缺血的作用。     

针药结合对全脑缺血大鼠脑组织钙调素活性影响的实验研究

目的 :观察针药结合对脑缺血大鼠脑组织内活性钙调素 (CaM)含量变化的影响。方法 :采用大鼠全脑缺血再灌注模型 ,用磷酸二脂酶法测定正常对照组、模型对照组、电针四肢井穴加药组、电针四肢井穴组、假手术对照组脑组织活性CaM的含量。结果 :造模后CaM显著升高 (P <0 0 5～ 0 0 0 1 ) ,经电针治疗及针药结合治疗后CaM显著下降 (P <0 0 0 1 ) ,但针药结合治疗与单纯电针治疗组之间降低CaM的作用无显著差异 (P >0 0 5)。结论 :电针、针药结合均可明显降低脑缺血再灌注大鼠脑组织中活性CaM的含量。