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目的 探讨电针“水沟穴”、“百会穴”是否可以通过调控AQP4、ZO-1的表达从而减轻脑缺血再灌注大鼠血脑屏障损伤。方法 选用健康的雄性SD大鼠随机分为5组:正常对照组(NC)、MCAO模型组(M)、电针组(EA)、AQP4 siRNA组(siRNA)和空载质粒组(EP)。采用改良后的Longa线栓法建立大鼠脑缺血再灌注模型,电针组于模型构建成功后5 min针刺大鼠的“水沟穴”和“百会穴”,并接电针,AQP4 siRNA组和空载质粒组右侧脑室缓慢注入AQP4 siRNA表达质粒和不含AQP4 siRNA的空载质粒。采用神经功能缺损评分观察各组大鼠神经功能缺损程度,CV染色法测定各组大鼠脑半球肿胀率及脑水肿情况,Western blot技术测定各组大鼠AQP4、ZO-1蛋白含量,RT-PCR测定各组大鼠AQP4、ZO-1mRNA含量。结果 与NC组相比较,M组及EP组大鼠神经功能缺损程度及脑水肿程度较重,AQP4蛋白及mRNA表达明显上升,ZO-1蛋白及mRNA表达明显下降;与M组及EP组相比较,EA组及siRNA组大鼠神经功能缺损程度及脑水肿程度较轻,AQP4蛋白及mRNA表达显著下降,ZO-1蛋白及mRNA表达显著上升。结论 电针可以有效抑制AQP4的表达及ZO-1的降低,从而改善血脑屏障的损伤,减少脑水肿的产生,促进神经功能恢复。调控AQP4、ZO-1的表达可能是电针“水沟穴”和“百会穴”改善脑缺血再灌注后脑水肿及血脑屏障损伤的作用机制之一。  相似文献   
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