助熔剂法合成Gd2O2S:Tb荧光粉

采用共沉淀法制备前驱体,再加入助熔剂煅烧合成Gd2O2S∶Tb荧光粉,并对制备的荧光粉样品的晶体结构及发光性能进行了系统研究。结果表明:助熔剂的选择对Gd2O2S∶Tb荧光粉合成影响显著;当L i2CO3与L i3PO4添加量的摩尔比为2∶1时发光亮度最大,且颗粒分布较均匀;当助熔剂的质量分数为0.35时发光性能最好。     

稀土离子掺杂硼铝酸盐玻璃的发光性能

用高温熔融法制备了Eu2+单掺和Dy3+Eu3+、Tb3+Eu3+共掺的硼铝酸盐玻璃,研究了其激发和发射光谱性能。结果表明：Eu2+单掺的玻璃在蓝光区域能够产生有效激发,并且发射峰呈现黄绿色发光,随着B2O3含量的增加,玻璃的配位场强度降低,Eu2+的发射峰发生蓝移。 Dy3+-Eu3+共掺玻璃中Dy3+在451 nm处呈现最强激发峰,在其激发下Dy3+向Eu3+产生能量传递,并发出蓝、黄和红光。Tb3+Eu3+共掺玻璃在482 nm蓝光的激发下,Tb3+向Eu3+产生能量转移,并发出绿、黄和红发光。这些发射带与蓝光发光二极管(LED)复合可产生白光。     

纳米级掺锑SnO2微粉的制备和性能

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法制得纳米级的SnO2微粉.用DSC-TG、XRD、TEM和UV等方法观测了微粉末,比较系统地研究了掺Sb浓度对粉末颗粒度和电阻的影响规律,探讨了纳米级掺锑SnO2微粉的显色机理.     

草酸钴对钴蓝颜料性能的影响

分别以草酸和草酸铵为沉淀剂,采用液相沉淀法制备了草酸钴前驱体．采用高温固相烧结法．以草酸钴为原料制备钴蓝颜料．研究了原料的粒度和配比等对钴蓝颜料性能的影响。结果表明：用草酸铵作沉淀刺制得的草酸钴的粒度小且均匀;将粒径为1．1μm的草酸钴和10．9μm的氢氧化铝按质量比46．0：54．0配料．在1200℃下煅烧2h,可制得粒径为1μm左右、反射率R150=68．4%、R600=6．9％,△R=61．5％的钴蓝颜料。     

碱土金属离子对硼铝酸盐玻璃发光性能的影响

以等离子显示板（PDP）用蓝色荧光粉BaMgAl10O17∶Eu2+ (BAM)为基础,加入B2O3及不同的碱土金属离子Mg2+,Sr2+,Ba2+,采用高温熔融法制备了硼铝酸盐透明发光玻璃。光谱分析表明不同碱土金属离子硼铝酸盐透明玻璃在紫外和紫蓝光区域均可有效激发,于蓝光处产生强光发射。发射峰按照加入Mg2+,Ba2+,Sr2+的顺序发生红移,发光强度按照加入Mg2+,Sr2+,Ba2+的顺序依次减弱。     

用中性溶液法制备硅基太阳能电池用低反射涂层

用中性溶液法在硼硅酸盐玻璃片上制备了低反射涂层,并在Na2HPO4和AlCl3组成的浸涂液中于95 °C条件下恒温浸泡6 h,结果表明硼硅酸盐玻璃片在400～900 nm波长内的平均透过率由原来的91.97%提高至98.97%,平均反射率降低至1.41%,中心波长处反射率仅为0.85%。为提高涂膜的耐候性,以低质量分数的十三氟辛基三乙氧基硅烷(FAS)对涂层样品进行表面处理。抗酸性测试结果表明：经w=0.3%的FAS溶液处理后的低反射涂层在1 mol/L盐酸中连续侵蚀7 d后,透过率平均值仍达到95.44%。说明经过FAS处理后,低反射涂层的耐候性能得到提高,使用寿命延长。     

化学共沉淀法制备纳米In2O3粉末

纳米In2O3粉末是一种用途广泛的多功能材料。以金属铟为原料,采用化学共沉淀法制得了氢氧化铟沉淀物。经过干燥,并且在不同温度下煅烧,可以制得纳米In2O3粉末。运用差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电阻测试等观测手段对粉末进行了表征。比较系统地研究了热处理温度对粉末性能的影响,得出最适宜的热处理温度为700°C。     

ZrF_4-BaF_2-LaF_3-ZnF_2系统玻璃的振动光谱与结构

通过红外吸收与反射光谱、拉曼光谱、X-射线衍射晶相分析等方法,研究了61.5 ZrF_4·(31-x)BaF_2·7.5 LaF_3·xZnF_2系列玻璃的结构。结果表明,构成这种玻璃的基本结构单元是[ZrF_6]、[ZrF_7]、[ZrF_8]等配位多面体,它们之间通过共棱或共顶方式连接成链状。Ba~(2+)、Zn~(2+)位于链间间隙。当ZnF_2的含量从0增加至6(mol%),Zr—F—Zr平均键角略有增大,从136.7°增至141.4°(相应于拉曼光谱中的对称振动频率SS(Zr—F_b)从487到482 cm~(-1)),而玻璃中Zr~(4+)的平均配位数呈下降趋势。     

重点中学中学生6307人的抑郁障碍现况调查

目的:了解中学生抑郁障碍的患病情况。方法:在北京、辽宁、安徽3省市各随机取1所重点中学,在同1个月内分别对该校全体非毕业班的在校中学生6307人采用抑郁自评量表进行抑郁障碍的筛查。对筛查结果异常及由班主任提供的筛查结果虽正常但怀疑有情绪问题的学生进行精神科检查,根据ICD-10中F32抑郁发作、抑郁复发和F34.1恶劣心境的诊断标准筛选出抑郁障碍的学生。其中北京市某校参加学生(北京组)3727人;辽宁省某校学生(辽宁组)1637人;安徽省某校高一年级学生943人(安徽组)。结果:发放问卷6307份,收回合格问卷6307份,有效率100%。①在6307人,抑郁自评量表筛查的阳性率为23.50%;诊断为抑郁障碍的学生184例,患病率2.92%(184/6307)。其中北京组89例,辽宁组45例,安徽组50例。男女学生抑郁障碍的发病情况接近,差异无显著性意义(85/3016,99/3291,χ2=0.392,P=0.531)。三所中学高一学生的总检出率以安徽最高(50/943),辽宁次之(32/870),北京最低(25/668),差异无显著性意义(χ2=5.423,P=0.066)。北京组高中学生抑郁障碍患病率与辽宁组接近,差异无显著性意义[3.11%(42/1349),2.75%(45/1647),χ2=0.344,P=0.558]。②北京组中学学生抑郁障碍的总患病率为2.39%。初一学生的总患病率明显低于初二、高一、高二学生,且差异有显著性意义(P=0.001,0.011,0.037)。但各年级中学生抑郁障碍男女性别之间差异均无显著性。③辽宁组中学学生抑郁障碍总检出率为2.75%。高一学生抑郁障碍患病率明显高于高二学生(3.68%,1.84%,χ2=6.016,P=0.0146);各年级男女学生抑郁障碍患病率差异无显著性。④安徽组高一学生抑郁障碍总患病率为5.31%(50/943),男女学生差异无显著性意义(5.20%,5.44%,χ2=0.027,P=0.870)。结论:所调查的重点中学学生中抑郁障碍比较常见,从初二年级开始出现有较明显的增加趋势,男女学生抑郁障碍的患病情况无明显差别。     

热处理对多孔SiO2块材结构和性能的影响

以正硅酸乙酯、聚乙二醇和乙醇等为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了固定化酶用的块状多孔SiO2,着重研究了不同热处理温度下材料的红外光谱、孔径分布和水热稳定性.结果表明:600℃热处理后可有效去除残余有机物,形成无定形硅氧网络结构,并得到细孔比表面积为392m2/g、孔容积为0.93 cm3/g、平均孔径为17 nm的圆柱状多孔SiO2;但经800℃以上热处理后多孔材料的体积密度显著增加、开口气孔率和比表面积急剧减小.600℃热处理的多孔材料在80℃热水中浸泡72 h后,氧化硅溶出率小于2%,细孔比表面积减少小于7%,显示出较好的水热稳定性.