甲基化芯片检测电离辐射诱导人外周血淋巴细胞DNA甲基化水平的变化

目的：筛选正常人细胞基因组中电离辐射后甲基化水平发生变化的基因,为在其中寻找新型辐射损伤标志物奠定研究基础。方法：⁶⁰Co γ射线照射人外周血全血,照射剂量为0、0.5和2.0 Gy。利用Illumina 450K芯片检测外周血淋巴细胞基因组DNA甲基化水平的变化,筛选甲基化水平差异的基因,利用GO功能富集分析基因的分子功能和参与的生物学途径。结果：0.5和2.0 Gy γ射线照射下人外周血淋巴细胞基因组DNA甲基化水平显著上调的基因有1 311个,显著下调的基因286个。GO功能富集分析表明,按富集度大小排列,差异基因在生物途径水平上排在首位的是“细胞过程”（富集度=5.86）,在细胞定位水平上排在首位的是“细胞”（富集度=7.48）,在分子功能水平上排在首位的是“结合”（富集度=5.27）。进一步细分后得到差异基因显著富集在与转录调控及转录因子活性相关的功能上,与以往的研究结果认为DNA甲基化参与转录调控和基因表达相一致;甲基化水平差异基因还显著富集在核苷连接（GO：0001882）上,并在其中寻找到与DNA修复相关的基因RAD50、RAD54L和INIP,以及与维持染色体结构稳定相关的基因HIST1H4K、SMC1B。结论：正常人外周血淋巴细胞基因甲基化水平受电离辐射影响,可进一步研究将这些与DNA修复、维持染色体结构稳定相关的基因甲基化水平作为辐射损伤标志物的可行性。     

环状RNA hsa_circZDHHC21_004对60Co γ射线照射后人小肠上皮细胞HIEC-6增殖能力的影响

目的探讨环状RNA hsa_circZDHHC21₀04对电离辐射照射后人小肠上皮细胞HIEC-6增殖能力的影响。方法 60Co γ射线照射人小肠上皮细胞HIEC-6, 吸收剂量为0、5、10和15 Gy, 剂量率为1 Gy/min。检测HIEC-6中hsa_circZDHHC21₀04的表达水平随照射剂量的变化趋势。构建hsa_circZDHHC21₀04稳定敲低细胞系, 通过CCK-8实验和克隆形成实验, 检测hsa circZDHHC21₀04表达水平的变化对辐射照射后HIEC-6增殖能力的影响。结果 HIEC-6中hsa_circZDHHC21₀04表达水平随辐射剂量的增高而增高(1.00±0.24、1.34±0.28、1.85±0.31、2.80±0.64,F=10.86, P=0.008)。10和15 Gy照射后, hsa_circZDHHC21...     

放射工作人员外周血淋巴细胞核质桥水平及其影响因素分析

目的初步探讨放射工作人员的性别、年龄、工龄、工种和年有效剂量等因素对其外周血淋巴细胞核质桥(NPB)的影响。方法收集100例河南省放射工作人员外周血,利用细胞分裂阻滞实验(CBMN法)制备人外周血淋巴细胞NPB标本,分析NPB率和NPB细胞率及各类因素对NPB的影响。结果放射工作人员NPB率高于正常健康人群(Z=-8.123,P<0.01)。性别对NPB的影响差异无统计学意义(P>0.05),年龄、工龄、工种和年有效剂量均对NPB有影响(χ^2=7.202~45.571,P<0.05)。结论NPB能反映出长期小剂量慢性照射对职业受照人群健康的影响。