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精神分裂症患者事件相关电位P300及其与发病次数的关系
引用本文:邓自和,陈玖,杨来启,马文涛,吴兴曲.精神分裂症患者事件相关电位P300及其与发病次数的关系[J].中国健康心理学杂志,2014,22(4):481-483.
作者姓名:邓自和  陈玖  杨来启  马文涛  吴兴曲
作者单位:邓自和 (中国 中国人民解放军第三医院全军精神疾病防治中心 宝鸡 721004); 陈玖 (中国 中国人民解放军第三医院全军精神疾病防治中心 宝鸡 721004); 杨来启 (中国 中国人民解放军第三医院全军精神疾病防治中心 宝鸡 721004); 马文涛 (中国 中国人民解放军第三医院全军精神疾病防治中心 宝鸡 721004); 吴兴曲 (中国 中国人民解放军第三医院全军精神疾病防治中心 宝鸡 721004);
基金项目:军队中医药科研专项课题(项目编号:10ZYX108)
摘    要:目的探讨首发与复发精神分裂症患者的电生理机制差异。方法对28例精神分裂症首次发作患者(首发组)、32例复发精神分裂症患者(复发组)进行事件相关电位P300的测定,测量其错误数和反应时,潜伏期和波幅,并与30名健康志愿者的结果进行比较。结果①患者组的反应时显著长于对照组(t=8.25,P0.05);正确率差异无统计学意义;②与对照组相比,患者组在C3、C4电极处,潜伏期均显著延迟(t=2.47,2.56;P0.05);Fz、Cz、C3、C4点波幅均显著降低(t=3.12,4.14,4.27,3.08;P0.05);③与首发组相比,复发组在C3、C4、Fz点的潜伏期显著延迟(t=2.58,3.07,6.78;P0.05);C3、C4、Fz、Cz点波幅均显著降低(t=5.13,4.55,8.35,4.70;P0.05)。结论首发、复发精神分裂症患者认知功能均受损,且复发患者受损程度大于首发患者。提示患者认知功能受损是一个累积下降的过程。

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