人工耳蜗植入术中电刺激中潜伏期听觉诱发电位的检测

目的 建立人工耳蜗植入术中电刺激中潜伏期听觉诱发电位(electrical evoked middle latency response,EMLR)的检测方法,为进一步评估植入者听觉传导通路及高位听觉反应的特点奠定基础.方法 20例人工耳蜗植入者,其中语前聋14例,语后聋6例,全部使用Cochlear公司Nucleus CI24R (CA)人工耳蜗.术中将言语处理器与计算机接口及听觉诱发电位仪触发端口连接,电极植入后,选取第3号电极,先常规进行电刺激听神经复合动作电位(electrically evoked auditory nerve compound active potentials,ECAP)测试初步了解听神经功能状态,然后进行EMLR检测.选择电刺激听性脑干反应(electrical auditory brainstem response,EABR)模式,采用单极刺激,双相交替脉冲电流方波,脉宽50 ～ 100μs,强度(电流级,current leve1,CL)由ECAP阈值上20 CL起,以5 CL为步长递减或递增,听觉诱发电位仪记录EMLR波形.对ECAP阈值与EMLR阈值进行相关性分析.另外选择6名听力正常健康受试者,行声刺激中潜伏期听觉诱发电位(auditory middle latency response,AMLR)测试,作为EMLR波形和潜伏期的声刺激对照.结果 6例听力正常受试者均可记录到AMLR波形,平均反应阈为(12.5±8.6)dBnHL,接近纯音测听阈值(10.8 ±7.3)dBHL.20例人工耳蜗植入者均可记录到EMLR波形,与AMLR波形相似,但各波潜伏期和波间期缩短,波幅变化不大;语前聋较语后聋总体上波幅小,潜伏期长.EMLR平均阈值为(140.55 ±9.92)CL,低于ECAP的平均阈值 ( 160.75±13.34) CL,差异具有统计学意义(t=10.467,P＜0.01);二者阈值之间呈正相关(r=0.763,P＜0.01).结论 人工耳蜗植入术中可成功记录到EMLR波形,其阈值较ECAP低,可以作为判断植入者中枢高位听觉传导功能的客观检查.

Measurement of electrical evoked middle latency response in cochlear implantation operation