| 侧链含有不同电子受体的聚咔唑衍生物的合成及其WORM型存储性能 |
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| 引用本文： | 刘柳,程庆,樊菲,张斌,陈彧.侧链含有不同电子受体的聚咔唑衍生物的合成及其WORM型存储性能[J].医学教育探索,2016,29(2):163-171,181. |
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| 作者姓名： | 刘柳 程庆 樊菲 张斌 陈彧 |
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| 作者单位： | 华东理工大学化学与分子工程学院, 教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室, 上海 200237,华东理工大学化学与分子工程学院, 教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室, 上海 200237,华东理工大学化学与分子工程学院, 教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室, 上海 200237,华东理工大学化学与分子工程学院, 教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室, 上海 200237,华东理工大学化学与分子工程学院, 教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室, 上海 200237 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点基金(51333002,21404037);教育部博士点基金(20120074110004);中央高校基金(WJ1514311) |
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| 摘 要： | 利用Suzuki偶联反应合成了3 种侧链含有不同电子受体的可溶性D-A型聚咔唑衍生物:聚(9-(2-己基葵基)-9H-咔唑)-(9-(4-硝基苯基)-9H-咔唑)](PCz-NO2)、聚(9-(2-己基葵基)-9H-咔唑)-(4-(9H-咔唑-9-基)苯甲醛)](PCz-CHO)和聚(9-(2-己基葵基)-9H-咔唑)-(4-(9H-咔唑-9-基)苯甲腈)](PCz-CN)。基于这3种聚合物的存储器件(器件结构:Al(200 nm)/高分子(90 nm)/氧化铟锡(ITO)均表现出典型的电双稳电子开关效应和非易失性一次写入多次读出(WORM)型存储性能。随着共轭聚合物光学带隙的增加2.26 eV(PCz-NO2)→2.79 eV(PCz-CHO)→3.20 eV(PCz-CN)],相应器件的启动阈值电压逐渐增大(-1.70 V→-1.81 V→-1.89 V);而电流开关比(ON/OFF)则依次减小(6.63×104→4.08×104→5.68×103)。含氰基的聚咔唑衍生物需要的开启电压最大,展现出来的电流开关比在3种聚合物中则最小。
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| 关 键 词： | 聚咔唑 D-A型共轭聚合物 WORM型存储器件 阈值电压 电流开关比 |
| 收稿时间： | 2016/3/22 0:00:00 |
Synthesis and WORM Memory Performance of Polycarbazole Derivatives with Different Electron Acceptors in the Side Chain |
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| LIU Liu,CHENG Qing,FAN Fei,ZHANG Bin and CHEN Yu.Synthesis and WORM Memory Performance of Polycarbazole Derivatives with Different Electron Acceptors in the Side Chain[J].Researches in Medical Education,2016,29(2):163-171,181. |
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| Authors: | LIU Liu CHENG Qing FAN Fei ZHANG Bin and CHEN Yu |
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| Institution: | Key Laboratory for Advanced Materials, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China,Key Laboratory for Advanced Materials, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China,Key Laboratory for Advanced Materials, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China,Key Laboratory for Advanced Materials, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China and Key Laboratory for Advanced Materials, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polycarbazole D-A conjugated polymers WORM memory devices threshold voltage ON/OFF current ratio |
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