| 810nm半导体激光致色素兔虹膜组织损伤的研究 |
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| 引用本文： | 周琼,李汉林,刘永琰. 810nm半导体激光致色素兔虹膜组织损伤的研究[J]. 眼科研究, 2006, 24(6): 611-614 |
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| 作者姓名： | 周琼 李汉林 刘永琰 |
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| 作者单位： | 330006,南昌,江西医学院第一附属医院眼科 |
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| 摘 要： | 目的观察810nm半导体激光不同能量参数对色素兔虹膜组织的损伤。方法将12只色素兔按不同激光能量随机分为空白组和100、150、200、250、300mW6组，每组2只兔4只眼，予以810nm半导体激光照射。激光光斑直径1．2mm，曝光时间60s，分别于24h、48h行眼压和眼前段观察，摘除眼球，取虹膜组织行光镜和电镜检查。结果裂隙灯下眼前段变化：100、150mW组未见明显反应；200、250、300mW组随照射能量的增加，虹膜皱缩速度加快，激光反应斑时间缩短，颜色加深，直径增大。苏木精-伊红染色：100mW组无明显改变；150mW组为可复性损伤改变；200、250、300mW组虹膜血管闭锁，色素颗粒弥散脱失，随能量增加而加重。扫描电镜：100mW组无明显改变；150mW组虹膜前表面连接疏松，未见热凝固征象；200、250、300mW组虹膜表面收缩形成凹陷，呈凝固性坏死，并随能量增加而加重。同一能量组激光术后24h、48h行苏木精一伊红染色及扫描电镜比较无明显差别。结论直径为1．2mm的810nm半导体激光光斑照射色素兔虹膜组织60s致虹膜组织损伤的阈值为200mW。
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| 关 键 词： | 810 nm半导体激光 虹膜损伤 经瞳孔温热疗法 |
| 文章编号： | 1003-0808（2006）06-0611-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-16 |
| 修稿时间： | 2005-12-162006-07-25 |
Iris induced by 810 nm semi-conductor laser in pigmented rabbits |
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| Zhou Qiong,Li Hanlin,Liu Yongyan. Iris induced by 810 nm semi-conductor laser in pigmented rabbits[J]. Chinese Ophthalmic Research, 2006, 24(6): 611-614 |
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| Authors: | Zhou Qiong Li Hanlin Liu Yongyan |
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| Affiliation: | Department of Ophthalmology ,Affiliated First Hospital of Jiangxi Medical College, Nanchang 330006, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 810 nm semi-conductor laser iris damage transpupillary thermotherapy |
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