全脑^60Co-γ射线照射后大鼠海马突触超微结构的观察

目的：观察不同剂量^60Co-γ射线照射后大鼠海马突触超微结构的改变,探讨^60Co-γ射线照射后导致学习记忆能力下降的机理。方法：将成年SD大鼠随机分为正常对照组、10Gy照射组、30Gy照射组,采用Morris水迷宫测试大鼠学习记忆活动,用透射电镜观察海马CA3区突触超微结构。结果：随着照射剂量的增加,大鼠第1次穿越目标区的时间逐渐延长,海马CA3区突触数量和突触后致密物厚度也逐渐减少;与正常对照组相比,30Gy照射组突触间隙显著增宽,穿越目标区的次数显著减少,但与10Gy照射组比较无明显差异（P〉0.05）,两照射组间也无差异（P〉0.05）。结论：^60Co-γ射线照射可引起大鼠海马突触丧失和结构改变,导致学习记忆能力下降。