经颅磁刺激后脑梗死大鼠学习记忆与海马c-Fos的表达

目的：研究经颅磁刺激对脑梗死后大鼠学习记忆功能和脑海马区c-Fos表达的影响。方法：实验于2004-09／12在华中科技大学同济医学院附属协和医院神经内科实验室完成。48只雄性SD大鼠随机分为正常组、模型组、经颅磁刺激组，每组16只。模型组和经颅磁刺激组大鼠采用线栓法制作一侧大脑中动脉闭塞的脑梗死模型。经颅磁刺激组在制模后第2天给予每天2次、每次30个脉冲的经颅磁刺激治疗，疗程4周。每组中的8只大鼠分别于4周后检测Y-迷宫中的学习记忆成绩和梗死侧海马c-Fos的表达。结果：经颅磁刺激组大鼠学习记忆功能明显改善(学习尝试次数：18．36&;#177;4．87：记忆再现次数：6．05&;#177;1．34)，与模型组比较(学习尝试次数：26．40&;#177;5．45；记忆再现次数：3．72&;#177;1．18)，差异均有显著性意义(t=3．65．3．28；P均&;lt;0．01)；经颅磁刺激组大鼠海马各区c-Fos阳性表达细胞数显著增加(CAl：28．55&;#177;3．62，CA2：25．27&;#177;3．09，CA3：27．65&;#177;3．53．齿状回：34．92&;#177;6．56)，与模型组比较(CAl：9．42&;#177;1．28．CA2：7．58&;#177;1．18，CA3：8．63&;#177;1．24，齿状回：11．36&;#177;2．04)，差异均有显著性意义(t=17．22，19．32，17．57，11．87；P均&;lt;0．01)。结论：应用转基因技术获得的c-fos基因突变的小鼠，表现出明显的空间学习记忆障碍．提示c-fos等即早基因的激活可能是学习记忆形成的必要条件。经颅磁刺激能增加脑海马各区c-Fos阳性细胞的表达，有促进脑梗死大鼠学习记忆功能恢复的作用。