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电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入
引用本文:王亮,董明敏,张道行.电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入[J].国外医学:耳鼻咽喉科学分册,2004,28(4):226-229.
作者姓名:王亮  董明敏  张道行
作者单位:[1]郑州大学第一附属医院耳鼻咽喉头颈外科450052 [2]首都医科大学附属北京友谊医院耳鼻咽喉科
摘    要:听觉脑干植入能够使听神经受损耳聋患重新获得听觉。电诱发听觉脑干反应(electrically brainstem response,EABR)测试用于术中定位耳蜗核位置,具有重要作用。电刺激耳蜗核时出现的EABR波形有两种类型:3波反应型和2波反应型,同时可记录到潜伏期较长的肌反应。手术中最佳的EABR测试参数为双相方波脉冲电流、刺激强度3mA、刺激频率50Hz、植入电极板上间距最大的电极做配对刺激、带通滤波10∽3000Hz。EABR作为探讨电听觉整体效果的指标,将在听觉脑干植入研究中发挥重要作用。本就近年来EABR在听觉脑干植入中的应用做一综述。

关 键 词:电诱发听觉脑干反应  听觉脑干植入  术中监测  测试参数
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