| VDT低频脉冲磁场对MNNG诱致DNA损伤的影响 |
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| 引用本文： | 吴瑞英,包家立.VDT低频脉冲磁场对MNNG诱致DNA损伤的影响[J].中国生物医学工程学报,1996,15(2):128-131. |
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| 作者姓名： | 吴瑞英 包家立 |
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| 作者单位： | 浙江医科大学微波研究室，浙江医科大学生物医学工程研究所 |
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| 摘 要： | 用视频显示终端（ＶＤＴ）产生的磁通密度峰值为４μＴ和４０μＴ，频率为１５．６ｋＨｚ低频脉冲磁场和甲基硝基亚硝酸胍（ＭＮＮＧ，已知可损伤ＤＮＡ的致癌剂）对培养的人羊膜细胞进行７２ｈ的辐射及接触，结果得出４０μＴ低频脉冲磁场辐射能增加ＭＮＮＧ引起的细胞３Ｈ／１４Ｃ放射活性比值；４μＴ低频脉冲磁场辐射则不能增加其放射活性比值，表明了ＶＤＴ低频脉冲磁场的磁通密度峰值在４０μＴ的情况下，能增强ＭＮＮＧ对细胞ＤＮＡ的损伤作用
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| 关 键 词： | 视频显示终端 脉冲磁场 DNA损伤 |
VDT PULSED MAGNETIC FIELD ENHANCES MNNG INDUCED DNA DAMAGE IN FL CELLS IN VITRO |
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| Keywords: | Visual display terminals (VDT) Pulsed magnetic field DNA damage |
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