| 放线菌素D诱导V79细胞凋亡模型的建立 |
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| 引用本文： | 靳翠红,薛金玉,巫生文,逯晓波,刘秋芳,蔡原. 放线菌素D诱导V79细胞凋亡模型的建立[J]. 环境与健康杂志, 2012, 29(1): 30-33,97 |
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| 作者姓名： | 靳翠红 薛金玉 巫生文 逯晓波 刘秋芳 蔡原 |
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| 作者单位： | 中国医科大学公共卫生学院毒理教研窒,辽宁 沈阳,110001 |
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| 摘 要： | 目的确定RNA合成抑制剂——放线菌素D(actinomycin D,ACTD)诱发V79细胞凋亡的最适作用浓度和时间,建立细胞凋亡模型。方法采用不同剂量(0～8.0 mg/L)的ACTD染毒V79细胞不同时间(0.5～4 h)。采用MTT法检测细胞活力;采用流式细胞仪法分析细胞凋亡和坏死率。结果各剂量ACTD染毒不同时间后V79细胞活力均下降(P<0.05)。与染毒0.5 h比较,在染毒1 h后仅0.25、1、2、8 mg/L ACTD染毒V79细胞活力下降,在染毒2 h后0.25、1、2、4、8 mg/L ACTD染毒V79细胞活力下降(P<0.05),在染毒4 h后各剂量ACTD染毒V79细胞活力均下降(P<0.05)。各剂量ACTD染毒不同时间后V79细胞凋亡率均升高(P<0.05);与染毒0.5 h比较,各剂量ACTD染毒1 h以及0.25、0.5、1、2 mg/L ACTD染毒2、4 h后V79细胞凋亡率均升高(P<0.05),4 mg/L ACTD染毒4 h后V79细胞凋亡率下降(P<0.05)。与对照组比较,0.25、2mg/L ACTD染毒0.5 h,1、2、4 mg/L ACTD染毒2 h以及各剂量ACTD染毒4 h后V79细胞坏死率均升高(P<0.05);与染毒0.5 h比较,2 mg/L ACTD染毒1 h后V79细胞坏死率下降(P<0.05),1、4 mg/L ACTD染毒2 h以及0.5、1、2、4 mg/L ACTD染毒4 h后V79细胞坏死率均升高(P>0.05)。结论 ACTD诱发V79细胞凋亡的最适剂量为4 mg/L,最佳作用时间为1 h。
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| 关 键 词： | 放线菌素D V79细胞 细胞凋亡 旁观者效应 |
Establishment of Apoptosis Model in V79 Cells Induced by Actinomycin D |
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| Affiliation: | JIN Cui-hong,XUE Jin-yu,WU Sheng-wen,et al.Department of Toxicology,School of Public Health,China Medical University,Shenyang,Liaoning 110001,China |
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