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| 甲巯咪唑在酞菁钴修饰碳糊电极上的示差脉冲伏安法测定 | |
| 引用本文： | 李惠,裴会莲,刘巍.甲巯咪唑在酞菁钴修饰碳糊电极上的示差脉冲伏安法测定[J].药物分析杂志,2007,27(11):1756-1759. |
| 作者姓名： | 李惠 裴会莲 刘巍 |
| 作者单位： | 扬州大学化学化工学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题（No.20273058） |
| 摘 要： | 目的:研究甲巯咪唑在酞菁钴(CoPc)修饰碳糊电极上的电化学行为并测定其含量。方法:循环伏安(CV)法和示差脉冲伏安(DPV)法。结果:在 pH=7.0、修饰电极中 CoPc 含量为6.25%(w/w)、富集电位-0.3 V(vs SCE)、富集时间40 s 的条件下,甲巯咪唑的氧化峰电流(i_p)与其浓度在2.0×10~(-6)～7.0×10~(-4)mol·L~(-1)范围内呈良好的线性关系,检出限为0.3 μmol·L~(-1)。结论:该方法应用到实际样品含量测定,其结果令人满意。 |
| 关 键 词： | 酞菁钴 碳糊电极 甲巯咪唑 测定 |
| 文章编号： | 0254-1793（2007）11-1756-04 |
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