注意缺陷多动障碍儿童事件相关电位和智力特点 |
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引用本文: | 刘丽,俸曦,周谦,王思明,傅师亭,吴玫,何亚薇. 注意缺陷多动障碍儿童事件相关电位和智力特点[J]. 实用儿科临床杂志, 2009, 24(14) |
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作者姓名: | 刘丽 俸曦 周谦 王思明 傅师亭 吴玫 何亚薇 |
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作者单位: | 刘丽,周谦,傅师亭,吴玫,何亚薇(成都市第二人民医院,儿科,成都,610017);俸曦(成都市第二人民医院,脑电图室,成都,610017);王思明(成都市第二人民医院,神经外科,成都,610017) |
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基金项目: | 四川省卫生厅科研计划项目资助 |
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摘 要: | 目的 提高儿童注意缺陷多动障碍(ADHD)诊断、治疗及预后判断的客观性、准确性,观察ADHD患儿认知和智力障碍程度.方法 对60例ADHD患儿(ADHD组)和60例健康对照儿童(健康对照组),分别以听觉靶和非靶刺激为诱发事件进行事件相关电位(ERP)P3波检测,采用<中国韦氏儿童智力量表>(C-WISC)检测患儿认知和智力能力,并比较二组儿童不同智力平衡性的ERP P3波测试结果.结果 ADHD组患儿较健康对照组儿童P3波潜伏期明显延长(P<0.01),波幅差异不明显.C-WISC检测中总智商(NQ)、言语智商(VIQ)、操作智商(PIQ)均低于健康对照组儿童(Pa<0.01);66.7%ADHD患儿VIQ低于PIQ 15分以上,智力不平衡性明显高于健康对照组(P<0.01).ADHD组及健康对照组智力不平衡(PIQ-VIQ差值≥15)儿童ERP P3波潜伏期较智力平衡(PIQ-VIQ差值<15)儿童延迟(P<0.05).结论 ERP儿童P3波的潜伏期是评价认知能力的方法,结合C-WISC测试能判断ADHD患儿认知和智力障碍程度,可作为ADHD诊断和预后判定的辅助依据之一.
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关 键 词: | 事件相关电位 智力 注意缺陷多动障碍 儿童 |
Characteristics of Event Related Potentials and Intelligence of Children with Attention Deficit Hyperactive Disorder |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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