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低频重复经颅磁刺激对孤独症儿童脑电节律的影响
引用本文:佟祯,丁萌,李小俚,蔡二娟,康健楠.低频重复经颅磁刺激对孤独症儿童脑电节律的影响[J].生物医学工程学杂志,2018(3).
作者姓名:佟祯  丁萌  李小俚  蔡二娟  康健楠
作者单位:燕山大学电气工程学院;河北大学电子信息工程学院;北京师范大学认知神经科学与学习国家重点实验室
摘    要:孤独症谱系障碍(ASD)是一种涉及多种神经系统的复杂发育障碍性疾病,主要表现为社交沟通障碍以及刻板行为。脑电图(EEG)测量与皮层突触活动相关的神经电生理变化,对检查者无损伤,已被证明是检测神经疾病的有力工具。为深入研究低频重复经颅磁刺激(r TMS)应用于ASD患者康复的作用,本文招募32名ASD被试,其中16名ASD患者作为实验组,16名ASD患者作为对照组,用频率为1 Hz的r TMS调控实验组,基于快速傅里叶变换提取额叶、顶叶、左颞叶、右颞叶、枕叶五个脑区的节律,用非参数估计中的Welch法计算四个频段的相对功率及额叶内通道之间的相干性,并分析所有ASD被试干预前后静息态脑电特征值的变化。统计实验组干预前后的孤独症行为量表(ABC),计算并比较干预前后各项指标得分。结果显示经过r TMS干预之后,ASD患者右颞叶和顶叶δ频段的相对功率普遍降低,额叶通道之间的相干性降低。此研究表明r TMS能够改善ASD患者的注意力、执行能力、语言能力,减少刻板行为和过激行为。

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