电针对缺血再灌注后学习记忆障碍大鼠BDNF/TrkB/PI3K/Akt通路的影响及对海马神经元保护作用研究

背景 学习记忆障碍是脑卒中后常见的功能障碍之一，严重影响患者的整体康复。电针神庭、百会对脑卒中后认知功能障碍患者具有确切疗效，但其作用机制尚未十分明确。目的 观察电针对大脑中动脉缺血再灌注（MCAO/R）后学习记忆障碍大鼠海马神经元保护作用及对脑源性神经生长因子（BDNF）/酪氨酸受体激酶B(TrkB)/磷脂酰肌醇3羟激酶（PI3K）/蛋白激酶B(Akt)信号通路的影响。方法 2021年5月—2022年3月选取60只8周龄健康雄性、SPF级SD大鼠，取24只大鼠分为空白组（n=12）、假手术组（n=12），其余36只大鼠构建MCAO/R模型。将造模成功的24只大鼠随机分为模型组（n=12）和电针组（n=12）。电针组于神庭、百会穴进行电针治疗，采用进行Zea-Longa评分观察各组大鼠神经功能缺损程度，采用空间探索实验评价大鼠空间学习记忆能力，采用TTC染色观察大鼠脑梗死体积。采用实时荧光定量PCR(RT-PCR)测定BDNF、TrkB、PI3K、Akt mRNA水平，Western blotting检测BDNF、TrkB蛋白水平及PI3K、Akt蛋白磷酸化水平。结果 术后2 h模型组...