电针对脑缺血再灌注大鼠脑组织内NGF和p75NTR表达的影响及相关机制研究

目的:观察电针刺激特定穴位,对脑缺血再灌注(MCAO/R)模型大鼠脑组织内神经生长因子(NGF)和低亲和力神经营养因子受体p75(p75NTR)表达水平的影响,探讨电针特定穴位治疗缺血性脑血管病的相关作用机制。方法:将雄性SD大鼠30只随机分为两组:假手术组和模型复制组。模型复制组大鼠参照Longa的线栓法,对其改良后进行复制脑缺血再灌注大鼠模型。根据Longa的评分标准对大鼠神经功能进行评分。模型复制成功的大鼠再随机分为缺血组和电针治疗组,电针治疗组针刺"百会""印堂",双侧"足三里"穴并予以电针刺激,假手术组和缺血组则不予干预。连续电针干预2周后,在末次干预后24h再次进行神经功能评分,再断髓处死所有大鼠,剥离出大鼠的脑组织,并采用免疫印迹检测方法对所有大鼠脑组织内NGF及p75NTR蛋白表达水平进行检测。结果:与假手术组比较,缺血组大鼠脑组织内NGF及p75NTR蛋白表达水平升高(P0.01,P0.05);与缺血组比较,电针治疗组大鼠,在其脑组织中NGF蛋白表达水平显著上调(P0.01,P0.05),p75NTR蛋白表达水平亦显著上调(P0.01,P0.05)。结论:脑缺血再灌注损伤发生后,电针特定穴位可以有效促进NGF与其低亲和力受体p75NTR的表达,以促进神经再生。电针特定穴位可以上调NGF及p75NTR表达水平促进神经再生进而实现其脑保护作用。