植入型心律转复除颤器导致误放电8例 |
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引用本文: | 张新霞,胡雪松,彭长农,许香广,方卫华.植入型心律转复除颤器导致误放电8例[J].广东医学,2010,31(3). |
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作者姓名: | 张新霞 胡雪松 彭长农 许香广 方卫华 |
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作者单位: | 1. 广东医学院附属深圳市福田人民医院心内科,518033 2. 广东省深圳市孙逸仙心血管病医院心内科,518033 |
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摘 要: | 目的探讨植入型心律转复除颤器(ICD)导致的误放电原因,为避免和减少误放电提供参考。方法分析8例患者共植入11台ICD的临床随访资料。8例患者7例为男性,1例女性,其中单腔ICD 7台,双腔ICD 3台,三腔植入型心律转复除颤器(CRT-D)1台。随访2~12年,平均7年。结果随访中除1例死亡外其余患者均存活。ICD共检出心律失常568次,启动治疗程序125次,其中误放电16次(12.8%),大部分发生在早年植入ICD的3例患者中。误放电原因包括:感知窦性心动过速3次,占误放电的18.8%,电磁干扰4次,占25%,电极导线绝缘层破损干扰9次,占56.3%。结论ICD误放电会给患者带来极大的身心伤害,应该受到重视。
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关 键 词: | 植入式心脏转复除颤器 心动过速 室性 |
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