| 电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入 |
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| 引用本文： | 王亮,董明敏,张道行.电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入[J].国际耳鼻咽喉头颈外科杂志,2004,28(4):226-229. |
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| 作者姓名： | 王亮 董明敏 张道行 |
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| 作者单位： | 450052,郑州大学第一附属医院耳鼻咽喉头颈外科;首都医科大学附属北京友谊医院耳鼻咽喉科,张道行 |
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| 摘 要： | 听觉脑干植入能够使听神经受损耳聋患者重新获得听觉.电诱发听觉脑干反应(electrically brainstem response,EABR)测试用于术中定位耳蜗核位置,具有重要作用.电刺激耳蜗核时出现的EABR波形有两种类型3波反应型和2波反应型,同时可记录到潜伏期较长的肌反应.手术中最佳的EABR测试参数为双相方波脉冲电流、刺激强度3mA、刺激频率50Hz、植入电极板上间距最大的电极做配对刺激、带通滤波10～3 000Hz.EABR作为探讨电听觉整体效果的指标,将在听觉脑干植入研究中发挥重要作用.本文就近年来EABR在听觉脑干植入中的应用做一综述.
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| 关 键 词： | 电诱发听觉脑干反应(Electrically Brainstem Response) 听觉脑干植入(Auditory Brainstem Implant) 术中监测(Intraoperative Monitoring) 测试参数(Test Parameters) |
| 修稿时间： | 2003年12月31 |
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