| 丁二酮肟修饰碳糊电极同位镀汞催化溶出伏安法测定痕量钴的研究 |
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| 引用本文： | 陈卫民,乔文建. 丁二酮肟修饰碳糊电极同位镀汞催化溶出伏安法测定痕量钴的研究[J]. 南方医科大学学报, 1993, 0(2) |
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| 作者姓名： | 陈卫民 乔文建 |
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| 作者单位： | 第一军医大学化学教研室(陈卫民)，同济医科大学化学教研室(乔文建) |
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| 摘 要： | 本文研究了在丁二酮肟(DMG)修饰碳糊电极上测定痕量钴的可行性。在KSCN和NH_3-NH_4Cl混合底液中,经由同位镀汞,电化学富集Co(Ⅱ),获得了钴在该电极上的良好响应。研究了在该电极上测定痕量钴的条件。探讨了电极反应机理。该法灵敏度极高,检测限可达4.2×10~(-10)mol·L~(-1),应用于药品和生物样品中的痕量钴测定,结果满意。
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| 关 键 词： | 钴 丁二酮肟 修饰电极 |
Study on the catalytic stripping voltammetry of trace cobalt at the dimethylglyoxime-modified carbon paste electrode via plating mercury in situ |
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| Chen Weimin,Qiao Wenjian. Study on the catalytic stripping voltammetry of trace cobalt at the dimethylglyoxime-modified carbon paste electrode via plating mercury in situ[J]. Journal of Southern Medical University, 1993, 0(2) |
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| Authors: | Chen Weimin Qiao Wenjian |
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| Affiliation: | Chen Weimin,Qiao WenjianDepartment of Chemistry Department of Chemistry,Tongji Medical University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cobalt dimethylglyoxime modified electrode |
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