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错误相关负电位在焦虑障碍、抑郁症中的应用
引用本文:张敏,王继军,肖泽萍. 错误相关负电位在焦虑障碍、抑郁症中的应用[J]. 上海精神医学, 2009, 21(6): 367-369
作者姓名:张敏  王继军  肖泽萍
作者单位:上海交通大学医学院附属精神卫生中心,200030;上海交通大学医学院附属精神卫生中心,200030;上海交通大学医学院附属精神卫生中心,200030
基金项目:上海市市级医院新兴前沿技术联合攻关项目,国家高技术研究发展计划(863计划),上海市科委重点科技攻关项目,上海市优秀学科带头人计划项目 
摘    要:错误相关负电位(error-related negativity,ERN)本质上属于事件相关电位,典型的ERN是错误行为发生后50~100 ms,或错误行为发生当时出现的一个负波,波幅约10μV[1].一般认为,ERN反映了个体对错误的监测及处理,即在一次犯错后为防止短时间内再次出现类似错误而进行的自我调整.多种反应模式和不同难度的任务都可以引出ERN,其在头皮的分布以额中央区[2]为主,通过源定位研究[3]、脑磁波记录[4]以及脑内记录[5]推测,ERN产生于前扣带回皮质(anterior ingulate cortex,ACC).

关 键 词:负电位  焦虑障碍  抑郁症  事件相关电位  自我调整  反应模式  前扣带回  中央区

Error-related negativity in anxiety disorders and depressive disorders
Zhang Min,Wang Jijun,Xiao Zeping. Error-related negativity in anxiety disorders and depressive disorders[J]. Shanghai Archives of Psychiatry, 2009, 21(6): 367-369
Authors:Zhang Min  Wang Jijun  Xiao Zeping
Abstract:
Keywords:
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