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| 热释光元件退火炉温度的控制 | |
| 作者姓名： | 戴辉 |
| 作者单位： | 223001,江苏,淮安市疾病预防控制中心 |
| 摘 要： | 在放射工作人员个人剂量监测中 ,对TLD元件即LiF(Mg ,Cu ,P)退火温度的要求是比较严格的。温度平稳后要求控制在 (2 40± 0 5)℃ ,退火炉退火时的温度过冲要求不超过 3℃ ,目的就是在每次照射之后经历这样的退火程序能使TLD元件有效地重新建立缺陷平均 ,重复使用元件。在退火过程中 ,如果温度低了 ,TLD元件陷井中的电子不能完全排空 ,就不能消除元件已有的剂量信息。而导致测量值偏高或偏低。当温度太高时还能造成元件灵敏度的永久性降低。因此 ,不论是在TLD元件的实际应用中 ,还是在TLD元件的研究中 ,对元件热处理的温度控制是非… |
| 关 键 词： | 热释光元件 退火炉 温度控制 剂量监测 TLD元件 热处理 放射剂量 |
| 收稿时间： | 2003-04-03 |
| 修稿时间： | 2003-04-03 |
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