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| GaAlAs半导体激光治疗牙本质过敏症的研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.昆明医科大学附属口腔医院牙体牙髓病科 |
| 摘 要： | GaAlAs半导体激光是由铝(Al)、镓(Ga)、砷(As)等元素组成的低功率激光,特点是发射能量低、温度上升幅度小、刺激循环和细胞活性、安全性强、操作简便。牙本质过敏症是口腔临床的常见症状,发病机制尚未完全明确,临床常用脱敏手段疗效不佳。目前,GaAlAs半导体激光已广泛应用于口腔治疗,特别是波长为780～980nm的GaAlAs半导体激光在牙本质过敏症治疗中的应用最为广泛。GaAlAs半导体激光主要通过介导与神经传导抑制有关的镇痛作用、光动力生物调控效应以及热效应发挥脱敏功效,不同参数的设定以及是否与脱敏剂联用均会影响脱敏效果,合理使用GaAlAs半导体激光有助于其发挥最大效能,并避免牙髓损伤。 |
| 关 键 词： | 牙本质过敏症 GaAlAs半导体激光 脱敏 牙本质小管 |
Research Progress of GaAlAs Diode Laser in Treatment of Dentin Hypersensitivity |
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