| 注意缺陷多动障碍与智商及事件相关电位的关系 |
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| 引用本文： | 王改青,王慧聪. 注意缺陷多动障碍与智商及事件相关电位的关系[J]. 神经科学通报, 2003, 19(4) |
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| 作者姓名： | 王改青 王慧聪 |
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| 作者单位： | 太原市中心医院神经内科,山西,太原,030009 |
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| 摘 要： | 目的:研究事件相关电位(ERP)与智商(IQ)及注意缺陷多动障碍(ADHD)之间的相互关系.方法:采用肌电图诱发电位仪记录靶刺激及非靶刺激结果,结合测试智商的方法.结果:ADHD组事件相关电位靶刺激计数正确率显著低于对照组儿童;P2,P3潜伏期显著延长;N1P2峰峰值显著低于对照组;两次记录P3波重复性显著低于对照组儿童;IQ(包括总智商(FIQ)、言语智商(VIQ)、操作智商(PIQ))均显著低于对照组儿童;相关分析结果显示P2,N2,P3潜伏期与FIQ,PIQ呈显著负相关;N1P2峰峰值与FIQ,VIQ呈显著正相关.Logistic回归分析显示靶刺激计数正确率及FIQ为ADHD的显著保护因素,P3潜伏期与FIQ存在显著的交互作用.结论:ADHD患儿排除干扰的能力及认知功能显著受损.交互作用结果则显示IQ与P3潜伏期对ADHD的影响互为拮抗.提示ADHD患儿的额前区功能不成熟.
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| 关 键 词： | 关系 注意缺陷多动障碍 事件相关电位 智商 |
Relationship of attention deficit hyperactivity disorder with intelligence quotient and event-related potential |
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