首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
检索        

ATM对辐射后AT细胞端粒酶活性的影响
引用本文:盛方军,曹建平,朱巍,冯爽,宋建元,李翀,黄晓菲,王小强,樊赛军.ATM对辐射后AT细胞端粒酶活性的影响[J].肿瘤,2006,26(10):900-904.
作者姓名:盛方军  曹建平  朱巍  冯爽  宋建元  李翀  黄晓菲  王小强  樊赛军
作者单位:1. 宁波市第二医院放疗科,宁波,315010
2. 苏州大学放射医学与公共卫生学院放射生物学教研室,苏州,215123
3. 德国GSF国家环境与健康研究中心放射医学研究所,Neuherberg D-85758
基金项目:国家自然科学基金;江苏省高校自然科学基金;苏州大学校科研和教改项目
摘    要:目的:探讨ATM对电离辐射照射的毛细血管扩张共济失调症(ataxia telangiectasia,AT)患者皮肤的成纤维细胞系AT细胞(ATSBIVA)端粒酶活性的影响。方法:以源于正常人皮肤的成纤维细胞系GM细胞(GM0639)为对照,应用基于PCR的端粒重复扩增技术(telomeric repeat amplification protocal,TRAP)与高效液相色谱(HPLC)技术,定量分析细胞分别经0、1、3、5 Gy 60Coγ射线照射后以及经3 Gy 60Coγ射线照射后继续培养2、24、48、72 h,AT、空载体AT、ATM -AT和GM细胞的端粒酶活性的变化。结果:未照射时,除GM细胞外,AT、空载体AT、ATM -AT细胞均呈现较高的端粒酶活性表达,但ATM -AT细胞的端粒酶活性明显低于AT和空载体AT细胞的端粒酶活性(P<0.01),而后二者无明显差异(P> 0.05);电离辐射照射后,AT、空载体AT、ATM -AT和GM细胞的端粒酶活性均呈剂量依赖性和时间依赖性增强,且在相同剂量点与时间点,ATM -AT细胞的端粒酶活性高于GM细胞(P<0.01)(除5 Gy计量点外),但低于AT和空载体AT细胞(P<0.01),而后二者无明显差异(P>0.05)。结论:电离辐射可诱导细胞端粒酶活性表达;并且细胞端粒酶活性水平随剂量与时间的增加而增加;ATM可下调AT细胞端粒酶活性水平。推测端粒酶参与电离辐射诱导DNA损伤的修复。

关 键 词:共济失调性毛细血管扩张  端粒末端转移酶  辐射  电离  色谱法  液相  AT细胞
文章编号:1000-7431(2006)10-0900-05
收稿时间:2006-01-16
修稿时间:2006-03-01

Effect of ATM on telomerase activity in AT cells exposed to ionizing radiation
SHENG Fang-jun,CAO Jian-ping,ZHU Wei,FENG Shuang,SONG Jian-yuan,LI Chong,HUANG Xiao-fei,WANG Xiao-qiang,FAN Sai-jun,F. Eckardt-Schupp.Effect of ATM on telomerase activity in AT cells exposed to ionizing radiation[J].Tumor,2006,26(10):900-904.
Authors:SHENG Fang-jun  CAO Jian-ping  ZHU Wei  FENG Shuang  SONG Jian-yuan  LI Chong  HUANG Xiao-fei  WANG Xiao-qiang  FAN Sai-jun  F Eckardt-Schupp
Institution:1. Department of Radiation Oncology, Ningbo No. 2 Hospital, Ningbo 315010,China;2. School of Radiation Medicine and Public Health,Soochow University,Suzhou 215123,China;3. GSF-National Research Center for Environment and Health Institute of Radiobiology,Neuherberg,D-85758,Germany
Abstract:
Keywords:Ataxia telangiectasia  Telomerase  Radiation  ionizing  Chromatography  liquid  AT cells
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号