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| 事件相关电位N400与精神分裂症 | |
| 作者姓名： | 吴良堂 侯沂 |
| 摘 要： | 作者对２３例服药精神分裂症和２０例未服药精神分裂症及２０例正常受试者，记录事件相关电位Ｎ４００。受试者均接受视觉词意分类作业。结果显示，精神分裂症组Ｎ４００波幅较对照组低，潜伏期延长３０～１００ｍｓ。随病情好转，精神分裂症Ｎ４００波幅逐渐增大，其潜伏期缩短，而未服药组Ｎ４００波波幅更小且形状不规则，潜伏期延长５０～１００ｍｓ，精神分裂症组Ｎ４００潜伏期与阴性症状评定量表得分呈正相关。精神分裂症组Ｎ |
| 关 键 词： | 精神分裂症 诱发电位 电生理检查 |
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