首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

缺氧缺血性脑损伤新生大鼠褪黑素受体的变化
引用本文:王莹,杨祖铭,朱海娟,何军,孙斌,丁欣,冯星. 缺氧缺血性脑损伤新生大鼠褪黑素受体的变化[J]. 临床儿科杂志, 2009, 27(10)
作者姓名:王莹  杨祖铭  朱海娟  何军  孙斌  丁欣  冯星
作者单位:苏州大学附属儿童医院新生儿科,江苏苏州,215003;苏州市立医院儿科,江苏苏州,215000;苏州大学第一附属医院,江苏省血液病研究所,江苏苏州,215000
基金项目:江苏省卫生厅医学科技发展基金招标课题,苏州市社会发展计划项目 
摘    要:目的 观察外源性褪黑素(MT)对新生大鼠缺氧缺血性脑损伤(HIBD)干预后不同时间点肾上腺组织中褪黑素受体1(MR1)mRNA和血浆皮质酮(CS)浓度的变化.方法 新生7日龄SD大鼠随机分为治疗组(T)、模型组(K)、假手术组(H)、生理组(S),在不同时间点采用逆转录多聚酶链式反应法(RT-PCR)半定量测定各组肾上腺组织中MR1 mRNA的表达;放射免疫分析法检测血浆CS的浓度.结果 HIBD后2 h肾上腺组织中MR1的表达显著下调,而此时血浆CS水平显著升高,4 h达高峰(P<0.05),与应激程度相符;MT干预后CS浓度以及MR1变化均不明显(P>0.05).结论 外源性MT可能通过自身受体调控应激激素,抑制HIBD后的过度应激损伤.

关 键 词:缺氧缺血性脑损伤  褪黑素  褪黑素受体1  皮质酮  逆转录多聚酶链式反应法

Effects of exogenous melatonin on adrenal gland melatonin receptor 1 in neonatal rats with hypoxic-ischemic brain damage
WANG Ying,YANG Zu-ming,ZHU Hai-juan,HE Jun,SUN Bin,DING Xin,FENG Xing. Effects of exogenous melatonin on adrenal gland melatonin receptor 1 in neonatal rats with hypoxic-ischemic brain damage[J]. The Journal of Clinical Pediatrics, 2009, 27(10)
Authors:WANG Ying  YANG Zu-ming  ZHU Hai-juan  HE Jun  SUN Bin  DING Xin  FENG Xing
Affiliation:1.Department of Neonatology;The Children's Hospital Affiliated to Soochow University;Suzhou 215003;Jiangsu;China;2.Deparment of Pediatrics Suzhou Municipal Hospital;Suzhou 215000;3.The First Hospital Affiliated to Soochow University;Jiangsu Institute of Hematology;China
Abstract:Objective To explore the changes of melatonin receptor1(MR1)mRNA in adrenal gland and plasma corticosterone ( CS) at different time point after intervention by exogenous melatonin in neonatal rats with hypoxicischemic brain damage (HIBD). Methods Postnatal 7-day-old Sprague-Dawley rats were randomly divided into four groups, model group (K group), sham operation group (H group), melatonin treated group (T group), physiological control group ( S group) . The expression of MR1 mRNA was measured by semi-quanti...
Keywords:hypoxic-ischemic brain damage  melatonin  melatonin receptor 1  corticosterone  RTPCR  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号