首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
检索        

3.0T MR DTI及1H-MRS评价急性百草枯中毒中枢神经系统毒性
引用本文:武柏林,刘怀军,宋波,霍书花,黄渤源.3.0T MR DTI及1H-MRS评价急性百草枯中毒中枢神经系统毒性[J].中国医学影像技术,2010,26(10):1833-1836.
作者姓名:武柏林  刘怀军  宋波  霍书花  黄渤源
作者单位:1. 河北医科大学第二医院医学影像科,河北,石家庄,050000
2. 河北医科大学公共卫生学院,河北,石家庄,050000
3. 河北医科大学第二医院急诊科,河北,石家庄,050000
摘    要:目的 利用磁共振弥散张量成像(DTI)及氢质子磁共振波谱(1H-MRS)技术研究急性百草枯(PQ)中毒后的神经影像学改变.方法 收集急性PQ中毒患者26例(病例组)及与其年龄、性别、职业相匹配的对照者26名(对照组),行MR T1WI、T2WI、DTI和1H-MRS检查.DTI数据分析选择额叶、壳核、苍白球、尾状核头、黑质致密带、黑质网状带、红核、海马等兴趣区,采用配对t检验比较两组患者各兴趣区各向异性分数(FA)值和平均弥散系数(DCavg),Pearson相关分析法分析组间差异与血毒物浓度的关系.1H-MRS选择基底节、海马、中脑、额叶4个兴趣区,分析主要代谢产物氮-乙酰天门冬氨酸(NAA)、胆碱复合物(Cho)、肌醇(MI)和脂质(Lip)与肌酸及磷酸肌酸(Cr)的比值变化.结果 病例组黑质网状带DCavg值下降,与对照组差异有统计学意义(t=-2.52,P=0.03),下降绝对值与血毒物浓度间无明显相关性(r=0.30,P=0.16).FA值组间差异无统计学意义.病例组基底节区的MI/Cr比值及海马区Lip/Cr比值较对照组增加(P=0.02、0.03).结论 急性PQ中毒患者中枢神经系统1H-MRS和DTI参数的改变,可能反映PQ中毒后大脑的某些区域处于轻度的水肿状态,微观代谢也受到了一定程度的影响.

关 键 词:百草枯  中毒    扩散磁共振成像  磁共振波谱
收稿时间:3/4/2010 12:00:00 AM
修稿时间:6/4/2010 12:00:00 AM

Evaluation of central nervous system damage of acute paraquat poisoning with 3.0T MR-DTI and 1H-MRS
WU Bai-lin,LIU Huai-jun,SONG Bo,HUO Shu-hua and HUANG Bo-yuan.Evaluation of central nervous system damage of acute paraquat poisoning with 3.0T MR-DTI and 1H-MRS[J].Chinese Journal of Medical Imaging Technology,2010,26(10):1833-1836.
Authors:WU Bai-lin  LIU Huai-jun  SONG Bo  HUO Shu-hua and HUANG Bo-yuan
Institution:Department of Radiology, the Second Hospital of Hebei Medical University, Shijiazhuang 050000, China;Department of Radiology, the Second Hospital of Hebei Medical University, Shijiazhuang 050000, China;College of Public Health, Hebei Medical University, Shijiazhuang 050000, China;Department of Emergency, the Second Hospital of Hebei Medical University, Shijiazhuang 050000, China;Department of Radiology, the Second Hospital of Hebei Medical University, Shijiazhuang 050000, China
Abstract:
Keywords:Paraquat  Poisoning  Brain  Diffusion magnetic resonance imaging  Magnetic resonance spectroscopy
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《中国医学影像技术》浏览原始摘要信息
点击此处可从《中国医学影像技术》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号