脑缺血再灌注损伤神经细胞非谷氨酸依赖性钙离子通道研究进展 |
| |
引用本文: | 付于.脑缺血再灌注损伤神经细胞非谷氨酸依赖性钙离子通道研究进展[J].中国老年学杂志,2011,31(7). |
| |
作者姓名: | 付于 |
| |
作者单位: | 天津中医药大学第一附属医院,天津,300193 |
| |
摘 要: | 脑缺血再灌注(I/R)损伤具有复杂的发生机制.大量研究表明,脑I/R损伤主要与钙超载、兴奋性氨基酸、氧化应激反应、炎症反应、脑水肿和细胞凋亡等有关.
|
关 键 词: | 脑缺血再灌注损伤 非谷氨酸依赖钙离子通道 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|