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脑缺血再灌注损伤神经细胞非谷氨酸依赖性钙离子通道研究进展
引用本文:付于.脑缺血再灌注损伤神经细胞非谷氨酸依赖性钙离子通道研究进展[J].中国老年学杂志,2011,31(7).
作者姓名:付于
作者单位:天津中医药大学第一附属医院,天津,300193
摘    要:脑缺血再灌注(I/R)损伤具有复杂的发生机制.大量研究表明,脑I/R损伤主要与钙超载、兴奋性氨基酸、氧化应激反应、炎症反应、脑水肿和细胞凋亡等有关.

关 键 词:脑缺血再灌注损伤  非谷氨酸依赖钙离子通道
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