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事件相关电位对短暂性脑缺血发作患者认知功能的评估
引用本文:董艳娟,王荫华. 事件相关电位对短暂性脑缺血发作患者认知功能的评估[J]. 中国组织工程研究与临床康复, 2005, 9(5): 22-23
作者姓名:董艳娟  王荫华
作者单位:1. 北京大学医学部第一附属医院神经内科,北京市,100034;解放军北京军区总医院老年神经内科,北京市,100700
2. 北京大学医学部第一附属医院神经内科,北京市,100034
摘    要:目的:对短暂性脑缺血发作患者的事件相关电位进行研究,以发现短暂性脑缺血发作是否对患者的认知功能有影响。方法:2002-12/2003-12解放军北京军区总医院干部病房收治短暂性脑缺血发作患者28例,年龄42~81岁;年龄、性别及受教育程度匹配的对照组28例。应用经典的Oddball刺激模式,对所有受试者进行P300的测试。结果:病例组P300的潜伏期较对照组延长犤Fz:(363.6±39.2)ms,Cz:(355.0±41.5)ms,Pz:(357.0±42.0)ms,P<0.01犦,波幅降低犤Fz:(3.0±1.7)μV,Cz:(2.8±1.6)μV,Pz:(3.3±1.5)μV,P<0.05犦。结论:短暂性脑缺血发作对患者的认知功能是有一定影响的。

关 键 词:脑缺血发作  短暂性  事件相关电位  P300  认知
文章编号:1671-5926(2005)05-0022-02
修稿时间:2004-11-01

Evaluation of event related potential on cognitive function in patients with transient ischemic attack
Dong Yan-juan,Wang Yin-hua. Evaluation of event related potential on cognitive function in patients with transient ischemic attack[J]. Journal of Clinical Rehabilitative Tissue Engineering Research, 2005, 9(5): 22-23
Authors:Dong Yan-juan  Wang Yin-hua
Abstract:
Keywords:
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