| 人工耳蜗植入者EABR与ECAP分析 |
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| 引用本文： | 葛晓华,王林娥,张道行.人工耳蜗植入者EABR与ECAP分析[J].听力学及言语疾病杂志,2010,18(4):376-380. |
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| 作者姓名： | 葛晓华 王林娥 张道行 |
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| 作者单位： | 首都医科大学附属北京友谊医院耳鼻咽喉科,北京,100050 |
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| 摘 要： | 目的探讨听觉电诱发电位对人工耳蜗植入者的电听觉传导功能客观评价的意义。方法对14例人工耳蜗植入者行电诱发听性脑干反应（electrically evoked audiotory brainstem responses,EABR）和电诱发听神经复合动作电位（electrically evoked compound action potential,ECAP）检查,根据第1、10、22号电极ECAP波形的检出与否将其分成A（1、10、22号电极ECAP均检出）、B（1、10、22号三个电极中有一个及以上ECAP未检出）两组,检测A组和B组患者的EABR阈值、波Ⅲ、Ⅴ潜伏期、Ⅲ-Ⅴ波间期并对其结果进行比较。结果刺激脉宽分别为25、50、75、100、125μs时,22号电极的EABR阈值B组高于A组,差异有显著统计学意义（P〈0.001）;刺激脉宽为50μs时：1号和10号电极的EABR阈值B组高于A组,差异有显著统计学意义（P〈0.001）。A、B两组患者22、10、1号电极EABR波Ⅲ、Ⅴ潜伏期和Ⅲ-Ⅴ波间期之间的差异无统计学意义（P〉0.05）。结论 ECAP波形较好者的EABR阈值较ECAP波形较差者的EABR阈值低。EABR波Ⅲ、Ⅴ潜伏期、Ⅲ-Ⅴ波间期与ECAP波形引出与否无明显相关性,ECAP灵敏性高而EABR稳定性好。
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| 关 键 词： | 电诱发听性脑干反应 电诱发听神经复合动作电位 神经反应遥测 |
The Study of EABR and ECAP in Cochlear Implantation |
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| Ge Xiaohua,Wang Lin'e,Zhang Daoxing.The Study of EABR and ECAP in Cochlear Implantation[J].Journal of Audiology and Speech Pathology,2010,18(4):376-380. |
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| Authors: | Ge Xiaohua Wang Lin'e Zhang Daoxing |
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