事件相关电位N_(400)与精神分裂症

作者对２３例服药精神分裂症和２０例未服药精神分裂症及２０例正常受试者，记录事件相关电位Ｎ_（４００）。受试者均接受视觉词意分类作业。结果显示，精神分裂症组Ｎ_（４００）波幅较对照组低，潜伏期延长３０～１００ｍｓ。随病情好转，精神分裂症Ｎ_（４００）波幅逐渐增大，其潜伏期缩短。而未服药组Ｎ_（４００）波波幅更小且形状不规则，潜伏期延长５０～１００ｍｓ。精神分裂症组Ｎ_（４００）潜伏期与阴性症状评定量表得分呈正相关。精神分裂症组Ｎ_（４００）与抗精神病药物剂量无关。精神分裂症组Ｎ_（４００）地形图显示以左颞叶不活跃，提示精神分裂症病人有左颞叶结构的异常。