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| 卒中患者健侧大脑半球rTMS的假刺激控制试验 | |
| 作者姓名： | Mansur C.G. Fregni F. Boggio P.S. 史利利 |
| 作者单位： | Harvard Center for No n-Invasive Brain Stimulation Beth Israel Deaconess Medical Center 330 Brookline Avenue Boston MA 02215 United States，Dr. |
| 摘 要： | 本试验对脑卒中发生1年内患者的健侧大脑半球给予低频重复经颅磁刺激(rTM S),旨在降低损伤侧大脑半球对健侧半球的抑制作用,改善患者的运动功能。与假性rTM S刺激相比,健侧大脑半球运动皮质给予rTM S刺激后,患者的简单和选择性反应时间明显缩短,患侧手的普渡插板测验评分也明显改善。卒中患者健侧大脑半球rTMS的假刺激控制试验@Mansur C.G.@Fregni F.$Harvard Center for No n-Invasive Brain Stimulation, Beth Israel Deaconess Medical Center, 330 Brookline Avenue, Boston, MA 02215, United States,Dr.@Boggi… |
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