| 摘 要： | 目的:观察电针对颅脑损伤大鼠脑组织中细胞凋亡相关基因Fas、FasL表达的影响,探讨电针治疗颅脑损伤的高效时间窗。方法:SD大鼠随机分为空白组,假手术组,模型组,电针1、2、3组。运用改良Feeney自由落体撞击装置造成大鼠颅脑损伤,电针组分别于造模结束后4 h,3、7 d开始电针干预至第14天。采用Morris水迷宫实验检验大鼠学习记忆能力,免疫荧光及Western blot法观察创伤脑组织Fas、FasL表达的变化。结果:与空白组和假手术组比较,从造模后3 d开始模型组大鼠在目标象限停留时间占总时间的百分比降低(P0.05);电针1组大鼠造模后7、10、14 d在目标象限停留时间占总时间的百分比高于模型组(P0.05),电针2组大鼠造模后14 d在目标象限停留时间占总时间的百分比高于模型组(P0.05)。与空白组和假手术组比较,模型组大鼠造模后3、7、14 d脑组织中Fas、FasL表达量明显上调(P0.01)。与模型组比较,电针1组造模后3、7、14 d脑组织中Fas、FasL表达量明显下降(P0.01);电针2组造模后7、14 d脑组织中Fas、FasL表达量明显下降(P0.05);电针3组造模后14 d脑组织中Fas、FasL表达量明显下降(P0.05)。与电针1组比较,电针2、3组造模后3、7、14 d脑组织中Fas、FasL表达量明显上升(P0.05,P0.01)。与电针2组比较,电针3组造模后7、14 d脑组织中Fas、FasL表达量明显上升(P0.05)。结论:电针早期干预可通过下调Fas、FasL治疗颅脑损伤,从而有助于颅脑损伤后记忆能力的恢复。
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