| 1450nm半导体激光治疗痤疮临床疗效观察 |
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| 引用本文： | 夏汝山,王秋枫,杨维玲,谢晓森.1450nm半导体激光治疗痤疮临床疗效观察[J].实用皮肤病学杂志,2010,3(1):32-34. |
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| 作者姓名： | 夏汝山 王秋枫 杨维玲 谢晓森 |
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| 作者单位： | 第二炮兵总医院皮肤科,北京,100088 |
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| 摘 要： | 目的观察1450nm半导体激光治疗痤疮的疗效及安全性。方法应用1450nm半导体激光对72例痤疮患者进行治疗。治疗前在局部外涂复方利多卡因乳膏,15～20min后进行治疗,激光光斑直径为6mm,能量密度为9～12J/cm2,动态冷却(DCD)时间为22～26ms;每次间隔为2～3周。结果治疗3次后,总皮损和炎症性痤疮皮损分别减少52.8%与79.4%,随访6月后皮损继续减少,与治疗前相比,差异有统计学意义。术后局部可出现红斑和炎症后色素沉着,但无水疱形成和色素减退。结论1450nm半导体激光治疗炎症性痤疮安全而有效。
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| 关 键 词： | 痤疮 激光 半导体 |
Treatment of acne with 1450nm semiconductor laser |
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| Institution: | XIA Ru-shan,WANG Qiu-feng,YANG Wei-ling,et al Department of Dermatology,the Second Artillery Corps general hospital,Beijing 100088,China |
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| Abstract: | 目的观察1450nm半导体激光治疗痤疮的疗效及安全性。方法应用1450nm半导体激光对72例痤疮患者进行治疗。治疗前在局部外涂复方利多卡因乳膏,15～20min后进行治疗,激光光斑直径为6mm,能量密度为9～12J/cm2,动态冷却(DCD)时间为22～26ms;每次间隔为2～3周。结果治疗3次后,总皮损和炎症性痤疮皮损分别减少52.8%与79.4%,随访6月后皮损继续减少,与治疗前相比,差异有统计学意义。术后局部可出现红斑和炎症后色素沉着,但无水疱形成和色素减退。结论1450nm半导体激光治疗炎症性痤疮安全而有效。 |
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| Keywords: | Acne Laser Semiconductor |
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