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800 nm Lightsheer半导体激光脱毛临床疗效及组织病理变化
引用本文:刘玲,王红兵,王红云,何黎. 800 nm Lightsheer半导体激光脱毛临床疗效及组织病理变化[J]. 中华医学美学美容杂志, 2007, 13(2): 90-93
作者姓名:刘玲  王红兵  王红云  何黎
作者单位:650032,昆明,昆明医学院第一附属医院皮肤性病科
摘    要:目的通过观察中国人脱毛的临床疗效及治疗前后的组织病理改变,探讨Lightsheer半导体激光脱毛的机制,探索出中国人的最佳治疗参数。方法应用Lightsheer半导体激光仪(波长800 nm,脉宽100 ms,光斑面积为9 mm×9 mm)对80例脱毛者进行脱毛治疗,能量密度20~40 J/cm~2,2次治疗间隔为1个月。应用毛发平均直径及毛发平均密度定量观察临床疗效,光镜及电镜下观察脱毛前后毛发、毛囊及其他皮肤结构的组织病理改变。结果80例经过3次脱毛治疗后,治疗区域毛发数量显著减少,剩余少许新生毛发直径变细。光镜下见毛囊有损伤,电镜下见整个毛囊壁均有不同程度损伤,内外毛根鞘细胞,特别是毛球部的毛母质细胞胞质内发生空泡样改变,内质网明显扩张,线粒体肿胀,细胞内含有的黑素小体崩解等改变。结论Lightsheer半导体激光采用适当能量密度进行脱毛治疗,能有效而安全地脱去毛发。

关 键 词:毛囊 脱毛 半导体激光 组织病理
收稿时间:2006-05-09

Hair removal with 800 nanometer diode laser: a clinical and histological study
LIU Ling,WANG Hong-bin,WANG Hong-yun,HE Li. Hair removal with 800 nanometer diode laser: a clinical and histological study[J]. Chinese Journal of Medical Aesthetics and Cosmetology, 2007, 13(2): 90-93
Authors:LIU Ling  WANG Hong-bin  WANG Hong-yun  HE Li
Abstract:
Keywords:Hair follicles   Hair removal diode laser system   Diodelaser
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