短暂性脑缺血发作患者事件相关电位的变化

背景：短暂性脑缺血发作(transient ischemia attack，TIA)是临床常见的脑血管病之一，采用客观评测方法对其高级神经活动认知功能损害进行评估。目的：研究TIA患者的事件相关电位(P300)的变化，探讨TIA患者的认知损害及可能的机制。设计：以诊断为依据，病例对照研究。地点和对象：在兰州军区乌鲁木齐总医院神经内科门诊及住院诊治的TIA患者31例(11A组)，其中颈内动脉系统9例，椎基底动脉系统22例对照组均为来院体检的健康人30例。干预：对TIA患者及正常对照组进行简易精神状态检查法(MMSE)、听觉oddball刺激序列P300检测及神经系统查体。主要观察指标：MMSE评定分值，P3波潜伏期及P3波幅测定。结果：TIA组的MMSE评分【(27．13&;#177;2．54)分】，与对照组【(29．02&;#177;1．35)分】比较，差异有显著性意义(t=2．213，P&;lt;0．05)。P3波潜伏期TIA组【(348．21&;#177;20．33)ms】与对照组【(330．32&;#177;30．12)ms】比较，差异有显著性意义(t=2．732，P&;lt;0．01)；椎基底动脉系统TIA比颈内动脉系统TIA的P3波潜伏期延长【(350．32&;#177;31．21)ms，(339．32&;#177;27．88)ms】，差异有显著性意义(t=2．479，P&;lt;0．05)；TIA患者的P3波潜伏期延长与TIA患者的发作次数呈正相关(r=0．383，P&;lt;0．01)，与MMSE评分呈负相关(r=-0．259，P&;lt;0．05)。结论：TIA患者的P3波潜伏期显著延长，存在早期认知功能的损害。TIA患者的早期认知损害与TIA发作次数有关。