| 应用事件相关电位P300评估精神分裂症患者智能状态 |
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| 引用本文： | 董瑞兰,孙富根,穆俊林. 应用事件相关电位P300评估精神分裂症患者智能状态[J]. 中国组织工程研究与临床康复, 2004, 8(15): 2820-2821 |
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| 作者姓名： | 董瑞兰 孙富根 穆俊林 |
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| 作者单位： | 新乡医学院第二附属医院精神科,河南省,新乡市,453002 |
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| 摘 要： | 目的:探讨精神分裂症患者P300电位与智商的变化,判定P300电位在评价此类患者智力方面的作用。方法:对40例精神分裂症患者和38例健康者分别进行了P300电位测定和韦氏成人智力量表(WAIS-RC)评定。结果:精神分裂症患者的P300电位波潜伏期(ms)延长(354.7±28.9),波幅(μV)降低(2.2±1.6),与对照组相比差异有显著性意义(t=2.58,P<0.01),WAIS-RC量表测验发现言语智商、操作智商及总智商均低于对照组,有显著性差异(t=2.65,2.72,3.10,P<0.01)。相关分析显示P300波潜伏期与各智商呈显著负相关(r=-0.28～-0.33,P<0.05),波幅与言语智商及总智商呈显著正相关(r=0.29～0.32,P<0.05)。结论:P300电位在评价精神分裂症患者智能方面具有重要意义,可作为一项客观的电生理学指标应用于临床。
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| 关 键 词： | 精神分裂症 智商 诱发电位 |
| 文章编号： | 1671-5926(2004)15-2820-02 |
| 修稿时间： | 2003-10-20 |
Evaluation on the intellectual status of schizophrenia patients by using P300 event related potentials |
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