| MOSFET用作临床X射线剂量测量的研究 |
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| 引用本文： | 陈智维,姚升宇,张铁宁,胡喆恺,朱振华. MOSFET用作临床X射线剂量测量的研究[J]. 中国医疗设备, 2011, 26(5). DOI: 10.3969/j.issn.1674-1633.2011.05.017 |
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| 作者姓名： | 陈智维 姚升宇 张铁宁 胡喆恺 朱振华 |
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| 作者单位： | 上海交通大学附属第一人民医院,肿瘤科,上海200080 |
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| 摘 要： | 目的 利用场效应晶体管对X射线的敏感性,探讨制作出符合临床需要、实用的X射线计量探测器的可行性.方法 ①确定合适的场效应晶体管工作参数,即确定工作电压VDS以及漏极电阻DR,并测量在S射线照射场效应晶体管时,漏极电阻DR上的电压降VDR,以确定场效应晶体管对X射线照射是否敏感.②任选市售不同型号的场效应晶体管若干,并在临床的标准条件下对这些场效应晶体管作X射线照射,通过测定VDR值,以确定场效应管对X射线照射反应的普遍性.③使用电离室(临床标准配置)对X射线的剂量作标定,并对处于相同X射线照射下场效应晶体管的VDR值作比对测量,以确定VDR值与X射线剂量之间的函数关系.④大剂量X射线照射试验用场效应晶体管,通过观察其对大剂量射线轰击的耐受性,以确定其作为传感器应当具有的可靠性.结果 市售场效应晶体管对X射线照射的反应具有普遍性;其输出信号与X射线剂量之间具有很好的线性关系;试验用场效应管能够经受大剂量1000cGy的15MV高能X射线轰击.结论 经过挑选的市售场效应晶体管完全能适用作临床上检测X射线的相对剂量.
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| 关 键 词： | 场效应晶体管 X射线 电离室 剂量监测 探测器 |
MOSFET Used for Clinical X-ray Doses Measured Exploration |
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| CHEN Zhi-wei,YAO Sheng-Yu,ZHANG Tie-Ning,HU Zhe-kai,ZHU Zhen-hua. MOSFET Used for Clinical X-ray Doses Measured Exploration[J]. Chinese medical equipment, 2011, 26(5). DOI: 10.3969/j.issn.1674-1633.2011.05.017 |
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| Authors: | CHEN Zhi-wei YAO Sheng-Yu ZHANG Tie-Ning HU Zhe-kai ZHU Zhen-hua |
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