短暂性脑缺血发作认知功能与事件相关电位研究 |
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引用本文: | 谭兴林,董佑忠.短暂性脑缺血发作认知功能与事件相关电位研究[J].临床脑电学杂志,1998,7(3):161-163. |
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作者姓名: | 谭兴林 董佑忠 |
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摘 要: | 目的:探讨短暂性脑缺血发作(TIA)病人事件相关电位(ERP)的变化规律及其临床意义。方法:用听觉Oddball刺激序列ERP、认知能力筛选试验(CCSE)和简易智力状态试验(MMSE)检测32例TIA病人和30例年龄、性别、利手和教育程序相匹配的正常人。结果:病人组ERP的N2和P3峰潜伏期较对照组显著延长,N2和P3波幅组均无显著差异、P3峰潜伏期(P3PL)异常率为25%。病人组MMSE较对
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关 键 词: | 短暂性 脑缺血发作 事件相关电位 认知功能 |
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