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三氧化二砷诱导NB4细胞凋亡相关基因表达改变的基因芯片研究
引用本文:秦大兵,陈洁平,王升启. 三氧化二砷诱导NB4细胞凋亡相关基因表达改变的基因芯片研究[J]. 解放军医学杂志, 2007, 32(5): 496-499
作者姓名:秦大兵  陈洁平  王升启
作者单位:400038,重庆,第三军医大学西南医院血液科;军事医学科学院放射与辐射研究所
基金项目:第三军医大学校科研和教改项目
摘    要:目的 利用基因芯片技术研究NB4细胞经三氧化二砷(As2O3)诱导凋亡后的凋亡相关基因表达变化.方法 检索NCBI的Entrez以及Human IPI数据库,通过染色体定位来排除冗余基因,共获得1 384个凋亡相关基因.探针使用软件OligoArray 2.0设计,并作Blast比对.设计基因特异寡核苷酸探针,合成后点样,制备寡核苷酸芯片.用2μmol/L的As2O3处理NB4细胞48h后,提取细胞总RNA,分别以Cy3,Cy5标记对照组及实验组,随后与含1 384个凋亡相关基因的寡核苷酸芯片杂交,使用基因芯片扫描仪对杂交信号扫描,软件分析Cy3和Cy5两种荧光信号的强度和比值,找出经As2O3处理后出现差异表达的基因,并挑选其中差异表达最明显的4条基因,设计引物后与CNDA产物进行PCR扩增,琼脂糖凝胶电泳进行验证.结果 NB4细胞经2μmol/L As2O3作用48h后共有4个基因表达上调,12个基因表达下调,且RT-PCR验证结果与基因芯片结果完全相符.结论 As2O3可以诱导NB4细胞一系列基因表达的改变,这些涉及信号转导、转录调节、细胞周期、氧化应激、蛋白质的翻译合成及细胞分化等方面基因的差异表达,可能在NB4细胞凋亡中起着重要作用.

关 键 词:三氧化二砷  NB4细胞  细胞凋亡  基因芯片
收稿时间:2007-01-05
修稿时间:2007-03-01

Studies with an oligonucleotide microarray on the changes of gene expression related with NB4 apoptosis induced by arsenic trioxide
Qin Dabing,Chen Jieping,Wang Shenqi. Studies with an oligonucleotide microarray on the changes of gene expression related with NB4 apoptosis induced by arsenic trioxide[J]. Medical Journal of Chinese People's Liberation Army, 2007, 32(5): 496-499
Authors:Qin Dabing  Chen Jieping  Wang Shenqi
Affiliation:Department of Hematology, Southwest Hospital, Third Military Medcial University, ChongQing 400038, China
Abstract:
Keywords:arsenic trioxide  NB4 cells   apoptosis   oligonucleotide micmarray
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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