电针对半乳糖致大鼠学习记忆障碍及突触改变的干预作用

本文研究了D-半乳糖长期处理大鼠后其学习记忆行为、海马结构参数的改变及电针的干预作用。正常对照组每日皮下注射生理盐水1ml，模型对照组每日皮下注射D-半乳糖（800mg/kg)，连续6周，电针组处理同模型对照组，并从第18天开始电针。空间学习记忆行为以Morris水迷宫潜伏期作为判定标准。实验结束后，每组随机取3只大鼠的海马CA3区作电镜观察。结果：⑴模型对照组大鼠水迷宫潜伏期成绩显著低于正常对照组，电针组潜伏期成绩与模型对照组相比显著提高；⑵模型对照组大鼠与正常对照组相比，突触间隙明显增宽，突触后致密物厚度（PSD）变薄，突触活性区长度缩短，差异具有显著意义。与模型对照组比，电针组突触间隙宽度显著缩小，PSD、突触活性区长度差异无显著意义。突触界面曲率三组间无差异。提示：皮下注射D-半乳糖可损害大鼠的空间学习记忆能力、使大鼠海马CA3区突触结构参数发生改变，电针可提高模型动物的空间学习记忆能力、改善D-半乳糖对海马CA3区突触超微结构的损害。