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室间隔缺损介入治疗对QT离散度、矫正QT离散度及左室电压的影响
引用本文:王静,田建伟,朴龙松,黄丛春. 室间隔缺损介入治疗对QT离散度、矫正QT离散度及左室电压的影响[J]. 解放军医学杂志, 2015, 40(2): 156-158
作者姓名:王静  田建伟  朴龙松  黄丛春
作者单位:1. 075000,河北张家口 河北北方学院
2. 100142北京,空军总医院心脏中心内科病区
摘    要:目的探讨介入治疗室间隔缺损(VSD)对心电图QT离散度(QTd)、矫正QT离散度(QTcd)及左室电压的影响。方法纳入2010年5月-2011年10月在空军总医院心脏中心成功接受介入封堵治疗的VSD患儿50例。对患儿术前、术后1d及术后6个月的心电图、心脏彩超结果进行分析,测量QTd、QTcd、RV5、SV1、Ra VL、SV3、左室射血分数(EF)、短轴缩短率(FS),观察介入封堵术后QTd、QTcd、左室电压(RV5+SV1、Ra VL+SV3)的变化特点。结果介入治疗术后QTd、QTcd较术前明显缩短,差异有统计学意义(P<0.05);介入治疗术后左室电压(RV5+SV1、Ra VL+SV3)较术前明显下降,差异有统计学意义(P<0.05)。结论介入封堵治疗VSD后QTd、QTcd明显缩短,左室电压明显下降,显著改善了心室的电重构。

关 键 词:室间隔缺损  心间隔封堵装置  QT离散度  矫正QT离散度  左室电压

Influence of interventional treatment of ventricular septal defect on QT dispersion,corrected QT dispersion and the left ventricular voltage
WANG Jing,TIAN Jian-wei,PIAO Long-song,HUANG Cong-chun. Influence of interventional treatment of ventricular septal defect on QT dispersion,corrected QT dispersion and the left ventricular voltage[J]. Medical Journal of Chinese People's Liberation Army, 2015, 40(2): 156-158
Authors:WANG Jing  TIAN Jian-wei  PIAO Long-song  HUANG Cong-chun
Affiliation:WANG Jing;TIAN Jian-wei;PIAO Long-song;HUANG Cong-chun;Hebei North University;Heart Center Department of Internal Medicine,Air Force General Hospital;
Abstract:
Keywords:heart septal defects, ventricular  septal occluder device  QT dispersion  corrected QT dispersion  left ventricular voltage
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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