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电针对脑缺血再灌注损伤大鼠Toll样受体4/核因子κB信号通路的影响
作者姓名:罗敷  舒象忠  刘丹妮  谭金曲  彭婷  黄夏荣  孙光华  彭昕珂  王金玲  周君
作者单位:1. 南华大学衡阳医学院附属第一医院康复医学科;2. 南华大学衡阳医学院附属第一医院康复医学中心;3. 南华大学衡阳医学院附属第一医院康复医学实验室;4. 南华大学衡阳医学院附属第一医院放射医学科
基金项目:湖南省自然科学基金(2023JJ40590),项目负责人:罗敷;;国家自然科学基金(81973917),项目负责人:周君;;湖南省研究生科研创新项目(CX20210973),项目负责人:刘丹妮~~;
摘    要:背景:炎症反应是诱发脑缺血再灌注损伤的重要因素之一。研究表明电针可有效降低缺血性脑卒中后炎症反应,改善神经功能缺损症状,但机制尚未明确。目的:观察电针对脑缺血再灌注损伤大鼠Toll样受体4/核因子κB信号通路及炎性因子表达的影响。方法:48只雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,每组16只,采用大脑中动脉线栓阻断法制备脑缺血再灌注损伤大鼠模型。造模24 h后对电针组大鼠行电针干预,每天1次,每次20 min,共5 d;假手术组和模型组不做任何干预。干预5 d后根据Longa法评定各组大鼠神经功能损伤程度;TTC染色和苏木精-伊红染色分别观察大鼠脑梗死体积及脑组织病理形态,荧光定量PCR和Western blot分别检测大脑皮质中Toll样受体4、核因子κB mRNA和蛋白表达;酶联免疫法检测血清中炎性因子白细胞介素6、白细胞介素18和肿瘤坏死因子α水平。结果与结论:(1)与假手术组比较,模型组大鼠神经功能评分、血清白细胞介素6、白细胞介素18、肿瘤坏死因子α水平、大脑皮质Toll样受体4、核因子κB mRNA及蛋白表达水平明显升高(P <0.01);与模型组比较,电针组大...

关 键 词:脑缺血再灌注损伤  电针  炎症  Toll样受体4  核因子κB
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