经颅直流电刺激下脑卒中患者脑电功率谱密度研究EI北大核心CSCD

经颅直流电刺激(tDCS)已成为卒中后康复治疗的新手段,并且逐渐被人们所接受。然而,tDCS治疗脑卒中的神经生理机制仍需进一步探讨。本文纳入了30例大脑左侧受损的脑卒中患者,随机分为tDCS真刺激组(15例)和tDCS伪刺激组(15例)。采集两组受试者刺激前、后的静息态脑电(EEG)信号,分析对比刺激前、后EEG信号δ、θ、α和β频带的功率谱密度差异,并计算了δ/α功率比值(DAR)。结果发现,真刺激后δ频带能量在左颞叶区明显降低,差异具有统计学意义(P <0.05);α频带能量在枕叶区明显增强,差异具有统计学意义(P <0.05);θ和β频带能量在整个脑区的差异不具有统计学意义(P> 0.05)。伪刺激前、后δ、θ、α和β频带能量在整个脑区的差异不具有统计学意义(P> 0.05)。另一方面,真刺激后脑卒中患者的DAR值明显降低,差异具有统计学意义(P <0.05),伪刺激后DAR值差异不具有统计学意义(P> 0.05)。本研究在一定程度上揭示了tDCS治疗脑卒中的神经生理机制。