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| 皮层SI区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应 | |
| 引用本文： | 张日辉,滕国玺.皮层SI区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应[J].中国医科大学学报,1999,28(4):247-249. |
| 作者姓名： | 张日辉 滕国玺 |
| 摘 要： | 目的；探讨ＳＩ区伤害感受神经元及ＶＰＬ核在痛觉调制中的作用。方法：用细胞内记录技术，观察ＳＩ区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激ＶＰＬ的反应。结果：９０．３６％的ＳＩ区伤害感受神经元对刺激ＶＰＬ产生反应。电刺激隐神经和刺激ＶＰＬ在ＳＩ区伤害感受神经元的诱发反应有相似与不同两种形式。结论：躯体伤害信息到ＳＩ区伤害感受神经元可能有中间神经元参与，在ＶＰＬ与ＳＩ区伤害感受神经元间或ＳＩ区内神经元间形成环路 |
| 关 键 词： | 伤害感受神经元 腹后外侧核 细胞内记录 |
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