MCNP程序模拟中子杀灭炭疽菌的研究

目的 研究中子辐照杀灭炭疽菌的可行性以及制定一套高效率的采用中子照射杀灭炭疽菌的方案。方法 利用MCNP程序建立模型,通过模拟得到单个中子在炭疽孢子中的能量沉积,以此估算出在该种情况下使全部炭疽孢子达到致死剂量的时间。通过研究反射层厚度、材料种类、炭疽层的面积以及中子源种类等因素对单个中子能量沉积的影响,制定出一套高效率的杀灭炭疽菌的方案。结果 以14.0MeV中子管为中子源,炭疽层样本的面积为10cm×10cm,中子源距离炭疽层上表面5cm时的值为5×10^-4 MeV/g,只需要约20min就可以将炭疽孢子全部杀灭,而如果使用10¹⁴n/s产额的中子管只需十多秒即可使炭疽孢子达到致死剂量。结论 中子辐照杀灭炭疽菌具有很高的效率和研究价值。     

~(252)Cf放射性同位素中子源辐照杀灭炭疽杆菌的理论研究

目的研究252Cf放射性同位素中子源辐照杀菌的可能性。方法通过MCNP模拟计算方法,推算其所使用的模型,计算出252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量和辐照时间。结果经MCNP理论模拟研究,建立了MCNP模拟252Cf中子源产生的中子辐射消毒的模型,推演出使用石蜡作为反射材料可取得最好的结果。计算出用252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量为1 000 Gy,辐照时间为18 min。结论利用252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢具有实际应用的可能性。     

Be-Am中子源杀灭炭疽的可行性分析

目的 研究Be-Am中子源用于杀灭炭疽的可能性。方法 通过MCNP模拟计算方法,建立其所使用的模型,计算了Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量,比较了单个中子沉积能量与Cf-252放射性同位素源和中子管源的不同。结果 建立MCNP模拟Be-Am中子源产生中子辐照消毒的模型,得出所用中子辐照强度与炭疽层面积成正比,并且与中子管和Cf-252的辐照剂量在同一个数量级上,但是Be-Am中子源具有价格低廉、中子产额稳定及使用期限长等优点。结论 利用Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢更具有现实意义。