近5年电针预处理及电针治疗脑缺血大鼠的机制研究进展

对近5年电针干预大脑中动脉栓塞(MCAO)大鼠机制研究的相关文献进行总结分析。发现电针干预MCAO大鼠主要从电针预处理和电针治疗两方面进行研究,电针预处理主要通过减轻兴奋性氨基酸毒性、调控缺血半暗带细胞凋亡相关基因和蛋白的表达、抑制炎性级联反应、调控小胶质细胞的活化等调控脑缺血再灌注损伤;电针治疗主要通过促进血管生成、增加血氧供应、促进神经干细胞再生增殖与分化、抑制炎性级联反应、促进神经营养因子的分泌等调控脑缺血再灌注损伤。其涉及的机制复杂多样,并不能明确具体单一因素的作用,电针作用机制可能是多种因素的叠加效应。     

半胱氨酸蛋白酶关键调控基因在针刺抗脑缺血再灌注损伤中的研究进展

大脑的缺血再灌注损伤是一个复杂的过程,涉及多种机制参与或相互作用。其中细胞凋亡是研究较为透彻的细胞死亡形式,而炎症反应在脑缺血再灌注损伤中促进继发性脑损害,则是脑缺血再灌注后神经元损伤的另一个重要因素。这种伴随炎症反应的程序性的细胞死亡方式被称为细胞焦亡。这两种细胞死亡方式分别受到Caspase基因家族关键调控基因——Caspase-3、Caspase-1的调控。针刺能通过对Caspase基因家族的调节减轻脑缺血再灌注损伤,减少脑缺血再灌注后细胞凋亡和细胞焦亡。     

细胞焦亡在针刺抗脑缺血再灌注损伤中的研究进展

针刺是治疗脑缺血再灌注损伤的有效方式,但其作用机制尚未能阐明。脑缺血再灌注后神经元损伤涉及多种机制参与和相互作用,细胞焦亡是一种伴随炎症反应的程序性细胞死亡方式,其形态学特征、发生及调控机制不同于其他细胞死亡方式。该文通过回顾近年针刺抗脑缺血再灌注损伤的相关研究,总结针刺对细胞焦亡及相关标志物的干预作用,同时探讨其中不足的地方,以期为针刺治疗脑缺血疾病提供新的研究方向及理论依据。     

针刺调节脑缺血再灌注损伤后MAPK信号转导途径思路初探

丝裂酶原活化蛋白激酶（MAPK）是生物体内重要的信号转导系统之一,参与细胞的生长、发育、分裂、分化、死亡以及细胞间的功能等多种过程。1VLAPK传导途径复杂,各途径可相互作用相互影响。目前研究针刺治疗脑缺血再灌注损伤的水平主要集中在组织学水平,很少有从分子生物学水平研究相关机制和作用。根据针刺发挥效应作用的多靶点以及针刺的良性调节作用,我们可以研究针刺在治疗脑缺血再灌注损伤中M_APK通路的传导机制,从而为临床工作提供新思路。     

电针对脑缺血再灌注损伤大鼠炎症反应的影响

目的:研究电针对脑缺血再灌注损伤的保护作用。方法:在双肾双夹法复制易卒中型肾血管性高血压模型的基础上,应用栓线法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型,观察电针对实验性脑缺血再灌注大鼠脑组织MPO、TNF-α的影响。结果:电针可显著改善脑缺血再灌注大鼠神经缺损行为体征,同时明显降低脑组织MPO、TNF-α的含量。结论:电针水沟、内关、足三里对脑缺血再灌注损伤有显著的保护作用,其机制可能与调节脑组织MPO、TNF-α水平,遏止炎症反应,减轻缺血再灌注继发性神经元损伤有关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠神经黏蛋白表达和脑含水量的影响

目的观察电针对易卒中型肾血管性高血压大鼠脑（RHRSP）缺血后再灌注不同时间神经黏蛋白表达、脑组织含水量的干预作用。方法将180只SD大鼠先用环形银夹狭窄双侧肾动脉,制成RHRSP,再用线栓法制成一侧大脑中动脉闭塞（MCAO）脑缺血再灌注模型。随机分为空白组、假手术组、电针组和对照组,分别观察缺血2h后再灌注1d、7d、14d、30d大鼠神经黏蛋白、脑组织含水量的变化。结果脑缺血再灌注1d,对照组脑缺血区周围出现神经黏蛋白阳性表达细胞,7d明显增多,14d表达到高峰,30d下降。电针组神经黏蛋白阳性表达细胞在7d、14d、30d时较对照组明显减少（P〈0.05或P〈0.01）,脑缺血1d、7d,电针组大鼠脑组织含水量明显小于对照组（P〈0.05或P〈0.01）。结论电针减轻脑缺血再灌注损伤后脑水肿,促进缺血损伤区神经功能修复,可能与其下调神经抑制因子神经黏蛋白的表达机制密切相关。     

电针对脑缺血再灌注大鼠脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡的影响

目的:探讨针刺对脑缺血再灌注大鼠神经元保护作用的机制。方法:雄性SD大鼠36只,随机分为假手术组(Sham)、脑缺血再灌注组(CI/R)及脑缺血再灌注+电针组(CI/R+EA),每组12只。采用改良线栓法制备局灶性脑缺血(MCAO)再灌注模型。于再灌流开始后,CI/R+EA组电针"水沟"百会"穴,电针参数:频率2~15 Hz,间断疏密波,电流强度1 mA,以局部肌肉轻微震颤为度,时间30 min。以罗丹明123和Annexin V-FITC进行荧光染色,通过流式细胞仪检测细胞内荧光强度,分析脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡发生率的变化。结果:CI/R组大鼠大脑皮层细胞线粒体膜电位明显低于假手术组(P<0.01),细胞凋亡率显著升高(P<0.01);电针治疗后,线粒体膜电位升高,细胞凋亡率受到抑制,与CI/R组比较差异有显著性意义(P<0.01)。结论:针刺治疗可明显减轻大鼠脑缺血再灌注损伤,上调神经细胞线粒体膜电位水平可能是针刺抑制大鼠脑缺血再灌注后神经细胞凋亡的机制之一。     

电针调节脑缺血再灌注大鼠大脑皮层Bcl-2和Bax mRNA的表达

目的:探讨电针是否通过干预Bax/Bcl-2 mRNA的表达,来调控缺血再灌注大鼠大脑皮层细胞凋亡,发挥电针对脑神经元保护作用。方法:将清洁级健康雄性SD大鼠19只,按随机数字表随机分成假手术组(n=5)和用于造模动物14只,采用改良Longa线栓大脑中动脉法制作局灶性脑缺血再灌注模型。在成功制作出脑缺血再灌注模型并作神经缺损综合评分为2分以上后随机分为模型组、电针组,每组各7只。取电针组大鼠"百会"及"大椎"穴,采用疏密波刺激30min,电流强度1～3mA,频率20Hz/80Hz,疏、密波交替时间各为1.5s。用实时荧光定量聚合酶链反应(RT-PCR)技术分别检测大鼠大脑皮层组织Bcl-2和Bax mRNA的表达。结果:与假手术组相比,模型组Bcl-2、Bax mRNA表达均显著升高,而Bcl-2/Bax比值显著下降;与模型组相比,电针组Bax mRNA表达降低,Bcl-2 mRNA表达虽无统计学差异,但Bcl-2/Bax比值显著上升,形成以Bcl-2占优势的Bcl-2/Bax二聚体。结论:电针可以通过调控内源性凋亡途径,抑制Bax的促凋亡作用,降低缺血再灌注区的细胞凋亡,促进细胞的存活,这可能是电针拮抗局灶性脑缺血再灌注损伤后的神经细胞凋亡,保护脑神经元的分子生物学机制之一。     

电针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠下丘脑-垂体-肾上腺轴相关激素的影响

目的:观察电针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠不同时间点下丘脑-垂体-肾上腺(HPA)轴相关激素的影响,并初步探讨其作用机制。方法:将Wistar大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组、电针非经穴组和电针经穴组,各组随机分成1 d、3 d、7 d 3个时间点,每时间点6只。采用改良线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞再灌注模型。电针经穴组取"曲池"足三里"穴,每次30 min,每日1次,取材前2 h再针刺1次。运用酶联免疫吸附实验方法检测大鼠血清皮质醇(CORT)含量变化,逆转录聚合酶链反应方法检测下丘脑促肾上腺皮质激素释放因子(CRF)、糖皮质激素受体(GR)及垂体促肾上腺皮质激素(ACTH)mRNA表达的差异。结果:与正常组比较,模型组各指标均有明显变化(P<0.05,P<0.01);与电针非经穴组和模型组各时间点比较,电针经穴组可明显降低CORT含量及CRF mRNA、ACTH mRNA表达水平(P<0.05,P<0.01),并可明显升高GR mRNA表达水平(P<0.01,P<0.05)。结论:电针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠HPA轴相关激素的调节具有相对特异性,电针经穴通过调控脑缺血再灌注损伤大鼠HPA轴功能紊乱起到脑保护作用。     

针刺调控脑缺血再灌注损伤后钙超载机制研究进展

缺血性中风关键病理环节是脑缺血再灌注损伤,而导致缺血性神经细胞凋亡、坏死的关键因素是钙超载。目前研究已证实针刺对钙稳态有良好的调控作用,可以通过抑制钙超载来减轻其对神经细胞的损害。本研究回顾近15年相关文献,分析总结针刺在调控脑缺血再灌注损伤后钙超载的病理机制,包括通过抑制连接蛋白Cx43半通道开放、调控细胞内游离钙浓度、抑制钙调蛋白表达、阻断L-型电压门控钙通道的功能等,进而抑制钙超载,调控钙稳态,拮抗脑缺血再灌注后继发的神经细胞损伤,以期为今后的研究提供思路。     

不同时程电针对大鼠MCAO再灌注区梗塞面积及病理形态的影响

目的：观察不同时程电针对大鼠急性脑缺血（MCAO）再灌注区形态学影响的差异。方法：采用可逆性脑缺血再灌注损伤大鼠模型,通过不同时程电针“百会”、“水沟”,观察脑梗塞面积,检查脑组织病理形态。结果：电针30、60min有减小大鼠MCAO再灌注区梗死面积的趋势,能减轻其神经元水肿程度,效果均优于电针10min组。结论：达到一定的留针时间才能更有效地减少梗塞面积及减轻神经元损伤。     

针刺防治脑缺血再灌注损伤作用机制研究进展

针刺防治脑缺血再灌注损伤疗效确切,其机制可能与减轻炎性反应、抑制兴奋性氨基酸毒性、阻滞钙超载、抗氧化应激、抑制脑水肿、促进神经与血管再生及抑制细胞凋亡等密切相关。本文综述近年针刺防治脑缺血再灌注损伤作用机制相关研究,为临床防治缺血性脑血管病提供依据。     

电针对脑缺血再灌注大鼠海马神经元BCL-2蛋白表达的影响

目的:探讨针刺对脑缺血再灌注损伤后抑制细胞凋亡作用。方法:采用改良线栓法建立大鼠局灶脑缺血再灌注模型(MCAO) ,用免疫组化方法观察凋亡相关蛋白BcL 2在各组MCAO大鼠海马区的表达水平,并用图像分析比较。结果:空白组海马区未见BcL 2蛋白表达;假手术组海马C1区BcL 2蛋白有少量表达;而缺血再灌注2 4小时后,BcL 2蛋白表达至高峰,在2 4小时～4 8小时呈下降趋势,到72小时时仅有少量表达;在相应时间点与缺血再灌注组相比较,电针组BcL 2蛋白阳性细胞数增加(P <0 0 1) ,其中以电针治疗A组最为明显。结论:电针“大椎”、“内关”两穴,对实验性局灶脑缺血再灌注损伤有明确的保护作用,通过上调海马区Bcl 2的蛋白表达,减轻缺血半暗区神经元损害     

脑缺血再灌注损伤细胞凋亡机制的研究进展

目的:阐述有关脑缺血再灌注损伤细胞凋亡机制的研究进展。方法:对国内外期刊中有关文献进行检索,从脑缺血再灌注损伤引起细胞凋亡的相关机制进行阐述。结果:脑缺血再灌注损伤细胞凋亡的机制十分复杂,涉及多条通路、多个控制基因以及其他因素。结论:通过对脑缺血再灌注损伤细胞凋亡机制的深入研究,为研发治疗脑缺血再灌注细胞凋亡提供可靠的理论依据以及实验依据。     

丹皮酚对大鼠脑缺血再灌注损伤后TLR4及神经细胞凋亡的影响

 目的 观察丹皮酚对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后 Toll样受体4（TLR4）和神经细胞凋亡的影响,并探讨其作用机制。方法 大鼠随机分为假手术组、脑缺血再灌注模型组、尼莫地平组（0.4 mg·kg^-1）、丹皮酚组（15、30 mg·kg^-1）。采用线栓法阻塞大脑中动脉建立大鼠局灶性脑缺血再灌注模型。通过 HE染色观察大鼠大脑皮层区细胞损伤程度,免疫组化法检测缺血侧脑组织 TLR4表达的变化,酶联免疫吸附法测定血清白细胞介素6（IL-6）含量,流式细胞仪检测神经细胞凋亡。结果 丹皮酚可明显改善大鼠皮层区细胞损伤,减少 TLR4的表达、降低血清中 IL-6含量,减轻神经细胞凋亡率。结论 丹皮酚能减轻缺血再灌注脑组织损伤程度、降低神经细胞凋亡率,机制可能与抑制脑组织内 TLR4表达有关。     

中药药对及其有效成分抗脑缺血损伤的研究进展

药对的配伍规律及其作用机制的深入研究对临床遣药组方及提高疗效具有重要的科学内涵。近年来,许多脑缺血损伤的防治研究发现,通过中药药对的合理运用,实现中药复方的优化组合,可多靶点、多层面作用于缺血脑组织的神经血管单元,多途径调控相关信号通道,明显减轻缺血半暗带脑组织的损伤及脑缺血损伤引起的炎症级联反应和再灌注损伤,及时恢复脑部血流并有效保护神经元,取得"复流"与"脑保护"相似的作用,进一步促进了神经功能的修复。     

电针对全脑缺血再灌注损伤高龄大鼠大脑皮质P53蛋白表达的影响

目的 :观察电针对全脑缺血再灌注损伤后高龄大鼠大脑皮质P5 3蛋白表达的影响。方法 :采用改良的Pulsinelli 4 血管阻断 ( 4 VO)方法制备SD高龄大鼠全脑缺血再灌注损伤模型 ,将大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注组、缺血再灌注 +电针组。假手术组动物仅烧灼双侧翼小孔内椎动脉 ,但不夹闭双侧颈总动脉 ,电针组在缺血再灌注后立即予电针治疗 ,以后每天 1次。在缺血再灌注 3天 ( 72hr)后将大鼠处死 ,进行免疫组织化学染色。结果 :缺血再灌注组大鼠大脑皮质P5 3蛋白免疫阳性细胞数明显高于假手术组 (P <0 <0 5 )。缺血再灌注 +电针组大鼠大脑皮质P5 3蛋白免疫阳性细胞数明显低于缺血再灌注组 (P <0 <0 5 )。结论 :电针可明显减少全脑缺血再灌注损伤后高龄大鼠大脑皮质P5 3蛋白的表达 ,这可能是电针抗脑缺血后神经元凋亡的途径之一     

针刺太阳、风池穴对脑缺血再灌注家兔热休克蛋白70及细胞凋亡的影响

目的观察针刺太阳、风池穴对家兔局灶脑缺血再灌注损伤后热休克蛋白70(HSP70)表达和神经细胞凋亡的影响,并探讨其对神经细胞保护作用及机制。方法将家兔随机分为假手术组、模型组和针刺组,每组又随机分为1 d、3 d和7 d 3个时间点。采用大脑中动脉线栓法(MCAO)建立家兔局灶性脑缺血再灌注模型,在脑缺血2 h后进行再灌注。针刺组家兔在脑缺血6 h后采用电针太阳、风池穴进行治疗,每日1次。在再灌注后1、3、7 d分别处死取材。HE染色观察脑组织病理改变,免疫组化法检测脑组织HSP70蛋白表达,原位末端标记(TUNEL)法检测神经细胞凋亡。结果病理染色显示与模型组相比,针刺组各时间点家兔脑组织梗死面积明显减小,神经细胞数目增多,炎性浸润程度减轻。组化结果显示HSP70蛋白在假手术组表达较低,模型组呈现出高表达。与模型组相比,针刺组各相应时间点均明显著增多(P0.01)。模型组的凋亡细胞数随再灌注时间的延长而逐渐增多,在3 d时达高峰;针刺组各时间点凋亡细胞数均明显减少,与模型组比较,差异均具有统计学意义(P0.01)。结论电针太阳、风池穴能够增加脑中HSP70蛋白的表达和减少神经细胞凋亡,从而对脑缺血再灌注损伤家兔起到神经保护作用。     

针刺对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后神经元凋亡的影响

目的：观察针刺对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后海马神经元内细胞周期因子（cyclin D1,CDK4）和神经元凋亡的影响。方法：大脑中动脉线栓法建立脑缺血再灌注损伤模型,应用免疫印迹法和流式细胞计数分别检测细胞周期因子和细胞凋亡。结果：再灌注48小时后海马细胞周期因子（cyclin D1,CDK4）表达升高,凋亡细胞增多,针刺组cyclin D1,CDK4表达和凋亡细胞明显减少（P〈0．01）。结论：针刺对脑缺血再灌注损伤有防护作用,其机制可能与调控细胞周期因子从而抑制凋亡有关。     

皇针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠下丘脑TGF-β1mRNA表达的影响

目的：研究电针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠下丘脑转化生长因子-β1（TGF-β1）mRNA表达的影响。方法：采用改良线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞（MCAO）再灌注模型．将Wistar大鼠随机分为5组：正常组、假手术组、模型组、电针非经穴组和电针经穴组,各组随机分成ld、3d、7d3个时间点,运用逆转录-多聚酶链反应（RT—PCR）方法检测大鼠下丘脑TGF-β1mRNA表达水平。结果：与正常组、假手术组比较,模型组各时间点下丘脑TGF-β1 mRNA表达水平均有显著性差异：电针经穴组可明显提高下丘脑TGF-β1 mRNA表达水平,与电针非经穴组和模型组各时间点比较均有显著性差异．结论：电针经穴对脑缺血再灌注损伤大鼠下丘脑TGF-β1 mRNA表达的调节具有相对特异性,电针经穴对脑缺血再灌注损伤的保护作用机制可能与电针经穴提高下丘脑TGF-β1 mRNA表达水平有关。