脉冲电场诱致皮肤电穿孔的荧光显微观察

从组织形态学角度观察脉冲电场和直流电场作用后皮肤结构的变化,以阐明这两种技术的差别.将人皮和蛇皮置于Valia-Chien双室扩散池,用电穿孔脉冲电场(脉幅380V,脉率4ppm,脉宽5.5ms,脉冲数100个,电容量22μF)和离子导入直流电流(0.5mA/cm2)作用于这些皮肤,用荧光显微镜观察被动扩散(对照)、离子导入和电穿孔三组皮肤的结构变化,荧光素为FITC.结果表明,对于人皮被动扩散见有少量15～30μm边缘粗糙的高亮荧光斑点;离子导入见高亮荧光斑点边缘变得光滑,尺度不变;电穿孔的高亮荧光斑点扩大至80～90μm,边缘光滑.对于蛇皮被动扩散和离子导入都未观察到高亮荧光斑点,但在电穿孔观察到25～30μm的高亮荧光斑点.提示脉冲电场可以诱致皮肤电穿孔,产生药物经皮渗透的新途径.     

经皮给药电穿孔技术的研究

本项目研制了方波和指数两种类型的电穿孔仪。分别研究了盐酸丁卡因、萘普生和甲硝唑三种药物离体人皮和大鼠腹皮对电穿孔、被动扩散和离子导入的促渗对比实验。结果表明：电穿孔比被动扩散和离子导入有更高的药物经皮促渗作用;药物经皮渗透速率与脉冲数不成正比关系;指数波优于方波;共溶剂没有明显增加电穿孔促渗作用;促渗剂与电穿孔合用可以较大提高电穿孔单用促渗作用;经皮能量是控制药物经皮促渗的重要因素;电穿孔与离子导     

经皮给药电穿孔技术的新进展

经皮给药是药物三大给药方式之一，经皮给药的电穿孔技术是一种新的经皮给药技术。这种技术可以增强大分子药物的经皮渗透速率，具有许多潜在的优点，近年来倍受人们的重视。皮肤角质层是阻止的经皮渗透的主要屏障，在皮肤上施加高压脉冲，使角质层结构瞬间紊乱产生可的亲水性“电孔道”，以增加药物的经皮渗透速率。     

离体皮肤药物经皮渗透电穿孔技术的研究

经皮级药电穿孔技术是采用电穿孔脉冲作用在皮肤上,使产生可逆水性电孔道,以促进药物的经皮渗透速率的方法,由于以往研究所采用的均系高压脉冲,于实际应用上仍存在困难,本文根据根据脉冲冲量和经皮能量控制药物经皮渗透速率和分析安全性的基本原理,并据此原理设计了OX4-3经皮给药电穿孔仪,并应用此仪器进行了萘普生经皮渗透速率的实验研究。结果表明,电穿孔处理后的萘普生经皮渗透速率比被动渗透提高了近四倍,脉冲期皮肤阻抗约5kΩ。     

经皮给药电穿孔技术的新进展

经皮给药是药物三大给药方式之一，经皮给药的电穿孔技术是一种新的经皮给药技术。这种技术可以增强大分子药物的经皮渗透速率，具有许多潜在的优点，近年来倍受人们的重视。皮肤角质层是阻止药物经皮渗透的主要屏障，在皮肤上施加高压脉冲，使角质层结构瞬间紊乱，产生可逆的亲水性“电孔道”，以增加药物的经皮渗透速率。这项技术对多钛和蛋白质药物制造业和临床医学有重要的意义     

基于STC12C5S60S2单片机经皮给药系统的设计

背景：经皮给药技术为蛋白质多肽类药物的导入提供了一种方便有效的方式。 目的：研制一种基于微控制器的经皮给药系统,实现药物经皮无创导入的同时维持药物的活性,提高药物的生物利用度。 方法：经皮给药系统以微控制器为核心,采用电致孔导入技术,电离导入技术和超声波导入技术从不同角度克服皮肤屏障,促进药物经皮吸收,在软硬件上合理的设计实现3种机制的协同作用,提高药物导入的效率。 结果与结论：试制出经皮给药系统样机,该系统操作简便,以无创的方式经皮给药可以提高患者的依从性,通过各治疗参数的调节,可用于多种药物的经皮导入,为实现个体化治疗提供可能。     

脉冲电场对人宫颈癌Hela细胞侵袭转移能力的影响

背景：脉冲电场对肿瘤细胞侵袭转移能力是否具有抑制作用尚不十分清楚。 目的：探讨不同强度脉冲电场对人宫颈癌Hela细胞侵袭转移能力的影响及可能的机制。 方法：以场强分别为0,500,1 000和1 500 V/cm的脉冲电场作用人宫颈癌Hela细胞后,采用平板克隆形成实验,观察脉冲电场对细胞克隆能力的影响;采用Transwell小室进行人工重组基底膜侵袭和转移实验,观察脉冲电场对细胞侵袭和转移能力的影响;采用RT-PCR法检测宫颈癌Hela细胞中基质金属蛋白酶2和RhoC基因mRNA的表达情况。 结果与结论：脉冲电场作用后,宫颈癌Hela细胞的克隆能力受到抑制;细胞侵袭和转移能力明显降低;基质金属蛋白酶2和RhoC基因mRNA的表达均明显减弱,且有电场强度依赖性。结果表明,脉冲电场能抑制人宫颈癌Hela细胞的侵袭转移能力,其机制可能与降低RhoC和基质金属蛋白酶2的表达有关。     

陡脉冲电场对体外人肝癌细胞内钙离子浓度的影响

为研究陡脉冲电场的凋亡效应,以人肝癌细胞系为实验对象,采用激光扫描共聚焦显微镜观察陡脉冲电场作用下细胞内钙离子浓度的变化,采用流式细胞术Annexin V检测陡脉冲电场诱导细胞凋亡.结果发现,陡脉冲电场能使肝癌细胞内钙离子浓度发生变化,变化的程度与陡脉冲电场的参数和胞外是否有钙有关,使得细胞内钙离子浓度稳态失调或大幅度振荡;流式细胞检测结果证实了陡脉冲电场能有效诱导肝癌细胞凋亡(与对照组比较,P<0.01),并且较低的电压峰值、较宽的脉冲宽度(200V/1.3μs)比较高的电压峰值、较窄的脉冲宽度(600V/100ns)能更有效地(P<0.01)诱导肝癌细胞凋亡.实验结果为陡脉冲杀伤肿瘤细胞的机制和参数选择提供了依据.     

陡脉冲电场对细胞凋亡的影响及机理的研究

我们使用自行设计的陡脉冲施加装置,对贴壁生长的人肝癌细胞(SMMC-7721)和人正常肝细胞(HL-7702)施加脉冲电场.研究在陡脉冲电场作用下细胞的凋亡及其相关的机理.结果表明,电压值超过200 V以上的陡脉冲电场可以诱发肿瘤细胞凋亡,250 V的电场比200 V电场作用下肿瘤细胞的凋亡程度更大;而正常细胞对电场刺激的敏感程度低于肿瘤细胞.激光共聚焦显微镜测定陡脉冲电场作用下细胞内游离钙浓度变化结果表明,细胞外无钙条件下,150 V电场作用下胞内钙离子浓度未发生明显变化,200 V电场作用下,胞内钙离子浓度明显下降,250 V电场作用下胞内钙离子浓度陡然下降,下降幅度比200 V电场作用时大.细胞外有钙条件下,150 V电场作用下胞内钙离子浓度未发生明显变化,200 V和250 V电场作用下胞内钙离子浓度略有下降.提示胞内钙离子浓度变化可能是陡脉冲作用下肿瘤细胞凋亡的机制.